制作压敏电阻器的半导体晶体材料主要有锌(Zn)、(Sb)、铬(Cr)、铝(Al)等金属氧化物。
    经国内外大量研究表明，氧化锌(ZnO)的微观结构是由晶粒构成，晶粒与晶粒之间存在着晶界层，即晶粒是由晶介层包着的，如图1-23 (a)所示。晶粒的直径约0.1μm，电阻率较低，为l～1OΩ.cm，趋近于导体。晶界层厚度约O.lμm，其电阻率很高，为lO¹⁰Ω.cm以上，近似于绝缘体。当两个相邻晶粒加上不太高的电压时，因晶界层的绝缘作用，两个晶粒之间几乎不导通电流，呈绝缘状态；当两个相邻晶粒所加电压超过某个数值时，将击穿很薄的晶介层，使两个晶粒之间立即导通电流，这时的氧化锌兢变成为导体。实验表明，两个相邻晶粒的击穿电压大约是3.5V，如果电压低于3.5V，两个相邻晶粒之间的晶界层就不被击穿。压敏电阻器就是利用氧化锌的这种特性，采用电子陶瓷工艺制造而成的。
    根据上述原理，若将多个晶界层包裹的晶粒按一定规律串联起来，就可制得各种压敏电压的压敏电阻器；若将多个晶界层包裹的晶粒并联起来，又可制得不同流通容量的压敏电阻器。通常压敏电阻器可制成压敏电压为5～9000V、流通容量为1—5000A的不同规格。如图1-23 (b)所示是标称电压为56V的氧化锌压敏电阻的外形。

                
    压敏电阻器在常温下都有一定阻值，可通过万用表电阻挡测量出来。压敏电阻器的阻值在温度变化时一般不会发生大的改变，只有两端电压增大到一定值时，它的阻值才迅速变小，表明它对外加电压非常敏感，所以称为压敏电阻器。
    压敏电阻器的品种很多，按材料不同可分为碳化硅压敏电阻器、硅锗压敏电阻器、金属氧化物压敏电阻器、钛酸钡压敏电阻器、硒化镉压敏电阻及硒压敏电阻等。目前使用较多的是氧化锌(Zn0)压敏电阻。
    压敏电阻器具有响应速度快、无续流、残压比小、通流容量大、漏电流小、电压范围宽、非线性系数大、伏安特性曲线对称及可靠性高等特虑。特别是用氧化锌材料制作的压敏电阻器，其优点更显突出。  AD624AD

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