2．部分发射极电阻接旁路电容电路
    图3-66所示是部分发射极电阻接旁路电容电路。发射极电路中，有时为了获得合适的直流和交流负反馈，将发射极电阻分成两只电阻串联。Rl和R2串联起来后作为VT1总的发射极负反馈电阻，构成Rl和R2串联电路的形式是为了方便形成不同量的直流和交流负反馈。

                    
    (1)直流电流电路。三极管VT1发射极的直流电流流过Rl和R2，所以这两个电阻都有直流负反馈作用，直流负反馈能稳定三极管的工作状态。
    (2)交流电流电路。三极管VT1发射极交流电流通过Rl和Cl到地，没有流过R2，所以只有Rl存在交流负反馈作用。
    (3)电路目的。采用这种发射极电阻设计的目的是在获得更大的直流负反馈的同时减小交流负反馈，因为交流负反馈量太大，会使放大器的增益下降得太多。

    3．发射极高频旁路电容电路
    图3-67所示是发射极高频旁路电容电路。由于输入端耦合电容Cl容量为lOμF，因此VT1构成音频放大器，若VT1发射极电阻上接有一只容量较小的旁路电容C2（lμF），它就是发射极高频旁路电客。

                      
    (1)音频电路。如果这是音频放大器，由于C2容量比较小（1μF），低音频和中音频信号的阻抗远大于电阻R2的阻值，这样C2相当于开路，此时，中、低音频信号因C2容抗很大而流过R2，所以R2对直流和中、低音频信号都有负反馈作用。
    (2)音频信号中的高音频信号。对于高音频信号而言，C2容抗比较小，C2构成了VT1发射极的高音频信号电流通路，起到高音频旁路的作用，所以R2没有高音频负反馈作用。这样，放大器对高音频信号的负反馈量较小，对高音频信号的放大倍数大于对低音频和中音频信号的放大倍数，这样的电路称为高音频补偿电路。像C2这样只让音频信号中的高音频信号流过的电容称为高音频旁路电容。
    (3)高频电路。如果VT1构成的是高频放大器（电路中的输入端耦合电容容量减小到几百皮法），其工作频率远高于音频信号频率，C2容量虽然只有1μF，但是容抗已经很小，远小于发射极负反馈电阻R，足以使所有的高频信号通过C2到地。加入了C2之后，R2没有高频信号负反馈作用,只存在直流负反馈.
    4．不同容量发射极旁路电容电路     T322A104K050AS7200
    图3-68所示是不同容量发射极旁路电容电路。电路中的VT1构成音频放大器，它有两只串联起来的发射极电阻R2和R3，另有两只容量不等的发射极旁路电容C2和C3。由于C2容量较小，因此对高音频信号容抗很小，而对中、低音频信号的容抗大。

                     
    (1)高频旁路电容C2。由于它的容量较小，只有1μF，在音频电路中，它只能做高音频信号的旁路电容，这样，没有高音频信号流过电阻R2，但是低、中音频信号仍流过R2。
    (2)旁路电容C3。由于它的容量较大，为47μF，这一容量对音频信号中的所有频率成分的容抗都非常小，所以它是音频旁路电
容，这样R3上没有音频信号流过。
    (3)负反馈电阻R2。在R2中流有直流和中、低音频信号电流，所以存在直流和中、低音频负反馈，C2只让高音频信号电流流过。
    (4)负反馈电阻R3。在R3中流有直沆电流，所以只存在直流负反馈，C3让音频信号中的低、中、高音频信号通过。