(一)什么是半导体二极管？     SN65LBC174N 
    在PN结两端各接上一条电极引出线，再将PN结封装在管壳里就构成半导体二极管，亦称晶体二极管。P区一侧引出的电极称为阳极，N区一侧引出的电极称为阴极。图2-6画出了常用半导体二极管结构示意图。
    二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。点接触型的二极管，PN结结面积小，结电容小，只能通过较小的电流，一般适用于高频或小功率电路。面接触型二极管，PN结结面积大，允许通过的电流大，但结电容大，可用于低频电路或大电流整流电路。
    按材料的不同，二极管可分为硅管和锗管。
    按用途不同，二极管又可分为普通管、整流管、稳压管和开关管等。
    部分二极管的实物图如图2-7所示。

  (二)二极管的伏安特性是什么？
    图2-8是二极管的伏安特性，即二极管两端的电压和流过二极管电流的关系曲线。由图可见，它有正向特性和反向特性两部分。

                   
    (1)正向特性
    当二极管承受的正向电压很低时，外电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流I_F很小，几乎为零。这一段所对应的电压称为死区电压或阈值电压。通常，硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约0.2V。当正向电压大于死区电压后，PN结的内电场被大大削弱，正向电流迅速增大，而正向电阻变得很小。二极管充分导通后，其特性曲线很陡，二极管两端电压几乎恒定，该电压称为二极管的正问导通电压U_F。硅二极管的UF约为0.7V，锗二极管的U_F约为0.3V。
    (2)反向特性
    二极管两端加反向电压时，外电场方向和内电场方向一致，只有少数载流子的漂移运动，形成很小的反向漏电流。由于少数载流子数目很少，在相当大的反向电压范围内，反向电流几乎恒定，故称为反向饱和电流I_R。正常情况下，硅二极管的IR在几微安以下，锗二极管的IR较大，一般在几十至几百微安。

  (三)什么是二极管的反向击穿特性？     SN65LBC180DG4    
    当反向电压增大到一定值时，反向电流急剧增大，这一现象称为反向击穿，所对应的电压称为反向击穿电压。二极管发生反向击穿时，反向电流突然增大，如不加以限制，将会造成二极管永久性的损坏，失去单向导电的特性。因此，二极管工作时，所加反向电压值应小于其反向击穿电压。不同的二极管，反向击穿电压不一样。
   在实际工作中，为使问题简化，在电源电压远远大于二极管导通时的正向电压降时，可将二极管看成理想元件，即加正向电压时，二极管导通，正向电压降和正向电阻等于零，二极管相当于短路。加反向电压时，二极管截止，反向电流等于零，反向电阻等于无穷大，二极管相当于开路。
    产生反向击穿的原因是由于外加反向电压太高时，在强电场的作用下，空穴和电子数量大大增多，使反向电流急剧增大。在反向电流和反向电压的乘积不超过PN结允许的耗散功率的前提下，此击穿过程是可逆的，当反向电压降低后，二极管还可恢复到原来的状态，否则二极管会因过热而烧毁。因此在实际电路中，常常串联一个限流电阻来保护PN结。

  (四)二极管的主要参数有哪些?     TAS5601DCA 
    二极管的参数是正确选择和使用二极管的依据。二极管的参数很多，主要参数如下。
    (1)最大正向平均电流I_FM
    最大正向平均电流又称最大整流电流，是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向电流的平均值。在实际工作中，管子通过的电流不允许超过该数值，否则，二极管将因PN结过热而损坏。
    (2)最高反向工作电压UDRM
    U_DRM是指二极管不被击穿所允许施加的最大反向电压。一般规定为反向击穿电压的1/2或2/3。
    (3)最大反向电流I_RM
    I_RM是指在室温下，二极管承受最高反向工作电压时的反向漏电流。其值越小，二极管的单向导电性越好。当温度升高时，反向电流会显著增加。
    二极管的应用范围很广，利用它的单向导电性可组成整流、检波、限幅、钳位等电路。在脉冲和数字电路中，常用作开关元件。