IC封装的变革
发布时间:2011/8/24 16:05:52 访问次数:1097
集成电路的封装形式很多、发展变化也很快。五花八门的封装形式、林林总总的英文缩写令人目不暇接,新的封装形式层出不穷,其发展历程经历了3次重大变革,如图5.2. 13所示。
1.第一次变革:插装到周边引线贴装
插装封装是IC封装早期的形式,是由分立晶体管封装发展而来,适应当时集成度低、IC引线数量比较少的需求。
随着微电子技术发展,插装占空间大、封装效率低的缺点促使表面贴装形式的封装发展。从双列引线到四边引线,由于不用通孔,引线间距不断缩小,由1.27mm、1Omm、0.65mm直到0.4mm、0.3mm,使封装效率提高,占用空间不断缩小,适应了电子产品小型化的需求。
周边引线方式历史悠久、技术成熟、成本低、可靠性高,是当前应用最多的一种封装形式。但这种形式可以容纳的引线数有限(一般不超过400),且当引线小于0.4mm后安裴难度增大,可靠性降低。
2.第二次变革:周边引线到面部引线
周边引线能够容纳的引线数有限,而集成电路发展要求引线数远不止此,因而引发了第二次变革:周边引线到面部引线发展。
面部引线方式是近年新发展起来的封装形式,由于引线分布在整个平面上,在同样封装面积上,可以容纳更多引线而不需要压缩引线节距,成为现代越来越复杂的集成电路封装的发展方向。目前已经有超过2500条引线的BGA封装,未来可能发展到5000条以上,节距可以从1.Omm到0.4mm选择。这种形式不利的方面是制造、安装和维修成本较高,检测技术要求高。
3.第三次变革:2D到3D
3D封装的直接推动者是多芯片模块(MCM)技术和系统级封装(SiP)技术的发展。芯片在封装内如果在XY平面放置,不仅芯片之间连接线长,而且占用较大面积,而面积在高密度封装中是稀缺资源。向Z方向挖潜导致了3D封装的兴起,特别是近年硅通孔(TSV)技术的发展。3D封装可以说不仅适应了封装进一步微小型化的需求,而且成为目前延续摩尔定律的有效技术。
芯片直接安装到印制电路板上,从理论上说是最简洁的封装方式,但由于缺少了外壳、引线的防护和缓冲作用,其可靠性问题目前还没有得到充分保证,因而目前只应用在可靠性要求较低的产品中,例如玩具、低成本数码产品等方面。 MC68EN360FE25C
集成电路的封装形式很多、发展变化也很快。五花八门的封装形式、林林总总的英文缩写令人目不暇接,新的封装形式层出不穷,其发展历程经历了3次重大变革,如图5.2. 13所示。
1.第一次变革:插装到周边引线贴装
插装封装是IC封装早期的形式,是由分立晶体管封装发展而来,适应当时集成度低、IC引线数量比较少的需求。
随着微电子技术发展,插装占空间大、封装效率低的缺点促使表面贴装形式的封装发展。从双列引线到四边引线,由于不用通孔,引线间距不断缩小,由1.27mm、1Omm、0.65mm直到0.4mm、0.3mm,使封装效率提高,占用空间不断缩小,适应了电子产品小型化的需求。
周边引线方式历史悠久、技术成熟、成本低、可靠性高,是当前应用最多的一种封装形式。但这种形式可以容纳的引线数有限(一般不超过400),且当引线小于0.4mm后安裴难度增大,可靠性降低。
2.第二次变革:周边引线到面部引线
周边引线能够容纳的引线数有限,而集成电路发展要求引线数远不止此,因而引发了第二次变革:周边引线到面部引线发展。
面部引线方式是近年新发展起来的封装形式,由于引线分布在整个平面上,在同样封装面积上,可以容纳更多引线而不需要压缩引线节距,成为现代越来越复杂的集成电路封装的发展方向。目前已经有超过2500条引线的BGA封装,未来可能发展到5000条以上,节距可以从1.Omm到0.4mm选择。这种形式不利的方面是制造、安装和维修成本较高,检测技术要求高。
3.第三次变革:2D到3D
3D封装的直接推动者是多芯片模块(MCM)技术和系统级封装(SiP)技术的发展。芯片在封装内如果在XY平面放置,不仅芯片之间连接线长,而且占用较大面积,而面积在高密度封装中是稀缺资源。向Z方向挖潜导致了3D封装的兴起,特别是近年硅通孔(TSV)技术的发展。3D封装可以说不仅适应了封装进一步微小型化的需求,而且成为目前延续摩尔定律的有效技术。
芯片直接安装到印制电路板上,从理论上说是最简洁的封装方式,但由于缺少了外壳、引线的防护和缓冲作用,其可靠性问题目前还没有得到充分保证,因而目前只应用在可靠性要求较低的产品中,例如玩具、低成本数码产品等方面。 MC68EN360FE25C