AT45DB642D 8Mbit 2.7V双接口数据闪速存储器电路的基本特性：

1) 单2.7~3. 6V的电压；
2) 双接口结构，Rapid8^TM串行接口的最大时钟频率为66MHz，SPI的兼容模式0和3，Rapid8^TM8位接口的最大时钟频率为50MHz；
3) 用户可配置页面大小，1024B/页、1056B/页、页面大小，可以在出厂前预先设定为1024/B；
4) 页程序操作，智能编程操作，8192页（1024/1056B/页）主存储器；
5) 页擦除(1KB)，块擦除(8KB)，扇区擦除(256KB)，芯片擦除(64Mbit)；
6) 2个SRAM数据缓冲器(1024/1056B)，允许接收数据，当闪速存储器阵列再编程时；
7) 低功耗．典型的有效读电流（串行接口）为lOmA，典型的有效读电流（8位接口）为lOmA，典型的待机电流为25μA，典型的深掉电电流为9μA；
8) 硬件和软件数据保护功能，独立的扇区；
9) 128B的安全寄存器安全性，64B的用户可编程空间，独特的64B的设备标识符；
10)每页最低100000程序/擦除周期；
11)数据保存20年；
12)工业级温度范围为- 40~ 85℃。