GAL16V8特点

1)高性能E2CMOS®技术

- 3.5 ns的最大传播延迟
- Fmax=250兆赫

- 3.0 ns的最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS ®先进的CMOS技术

2)50％至75％减少功率双极
- 75毫安典型国际商会低功率器件

- 45毫安典型国际商会季度电力设备

3)主动上拉所有引脚

4)E2电池技术
- 可重构逻辑
- 可再编程细胞
- 100％Tested/100％的收益率
- 高速电擦除（<100毫秒）
- 20年的数据保存

5)八个输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性复杂逻辑设计
- 可编程输出极性
- 同样具有完全模拟20针PAL ®器件

GAL16V8功能/熔丝图/参数兼容性

1)PRELOAD和上电复位所有寄存器
- 100％功能测试性

2)应用包括：
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度升级

3)电子签名鉴定

GAL16V8说明

    该GAL16V8，在3.5ns的最大传播延迟时间，结合一种高性能的CMOS工艺与电可擦除（E2）浮栅技术，可提供的最高速度表现在PLD市场。高速擦除时间（<100毫秒）允许器件重新编程速度和效率。
    通用架构提供最大的设计灵活性允许输出逻辑宏单元（OLMC）被配置用户。许多建筑的一个重要子集配置与GAL16V8可能是PAL架构上市在宏单元描述部分表。GAL16V8器件是具有完全模仿这些PAL的体系的能力功能/熔丝图/参数的兼容性。
    独特的测试电路和可编程细胞允许完整的交流，DC，并在生产过程中的功能测试。因此，格安森美半导体提供100％现场可编程性和功能GAL的所有产品。此外，100擦除/写周期，数据保留20年以上指定。