74HC595三态8位移位寄存器
发布时间:2011/7/6 9:57:27 访问次数:1050
74HC595三态8位移位寄存器/输出存储寄存器电路的基本特性：
1) 输出驱动能力：15LSTTL负载；
2) 输出直接接口至CMOS、NMOS和TTL;
3) 工作电压范围：2.0—6.0V;
4) 低输入电流为1.OμA；
5) 高噪声抗扰CMOS驱动特性；
6) ESD性能：HBM大于2000V，机器模式大于200V；
7）芯片复杂性：328个FET或82个等效门；
8）无铅封装；
9）超过HC595改进；
10)改进传播延迟；
11)低静态电源；
12)改进的输入噪声和闭锁超载抗扰。
74HC595三态8位移位寄存器/输出存储寄存器电路的基本特性：
1) 输出驱动能力：15LSTTL负载；
2) 输出直接接口至CMOS、NMOS和TTL;
3) 工作电压范围：2.0—6.0V;
4) 低输入电流为1.OμA；
5) 高噪声抗扰CMOS驱动特性；
6) ESD性能：HBM大于2000V，机器模式大于200V；
7）芯片复杂性：328个FET或82个等效门；
8）无铅封装；
9）超过HC595改进；
10)改进传播延迟；
11)低静态电源；
12)改进的输入噪声和闭锁超载抗扰。
相关技术资料- 7-674HC595三态8位移位寄存器
公网安备44030402000607
