镀膜的方法虽然也可以移动模式波长，但由于顶部反射率的降低，asfp腔的谐振吸收作用减弱了，难以制作高对 比度的器件。高对比度的器件一般都是常通型。常通型器件要求模式波长在c－hh峰的长波方向，如果由于生长厚 度的偏差引起模式波长的偏离，必须采用后工艺的方法将模式波长移到合适的位置。图1所示为列阵器件的湿法腐 蚀实验结果，曲线1为器件腐蚀前的反射谱（器件i、2为列阵在空间位置上相隔最远的两个器件）。

图1 模式波长在腐蚀控制下的移动

　　腐蚀前器件1和2的e－lh激子峰都在约840 nm处，e－hh激子峰都在约848 nm处，两个器件的模式波长均在约880 nm处，两个器件的模式波长移动值基本相同，说明模式波长移动对不同的器件来说是比较均匀的。腐蚀⒛s后，激 子峰的位置不动，但是模式波长的位置移到了约874 nm，共移动6 nm（o.3 nm/s）；再腐蚀15 s后，模式波长移 动了约3 nm，到了870 nm（0.26 nm/s）。要使常通型器件获得较好的调制特性，应使模式波长移到距激子峰lo nm左右的位置。继续腐蚀直到模式波长距激子峰约10 nm。图2为两个器件腐蚀到模式波长距激子峰约10 nm时的电 调制反射谱。在外加电压为15 v时获得大约5的对比度，器件的高态反射率大约为50％。由于我们可以用湿法腐蚀 的方法将模式波长调整到任意位置，因此我们可以得知模式波长与激子峰在不同间距时器件的调制特性。

　　利用湿法腐蚀技术调整模式的技术对于获得高对比度的常通型器件是很重要的，如果没有湿法腐蚀技术调整模 式，则模式位置不合适的器件都不能使用。模式调整技术实现了asfp腔模式可调，从而大幅度提高量子阱材料的 可用性，它对改善器件性能具有重要意义。

图2 湿法腐蚀到模式距激子峰约10nm时器件的电调制反射谱

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