如图1（a）所示为pin光电探测器基本结构，n型衬底上生长一层低掺杂本征层，在淀积的5102上开窗形成p型注入区。分别在n型衬底和表面做欧姆接触，其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射表面的反射以提高器件外量子效率，需要在表面涂一层抗反射膜。在这种结构中p型注入区要比本征区薄得多，这样就能使大部分入射光在本征区被吸收，既提高了量子效率又提高了速度。

　　图1（b）为端面入射结构，p型和n型接触分别做在衬底上下表面而将入射光改为在端面入射。这种结构消除了表面入射结构产生的p型区域的吸收，减小了入射光的损耗。此外它将光的入射方向和载流子的运动方向分开，因此我们可以把本征区做得很长以便于入射光的吸收从而提高量子效率的同时不影响载流子的漂移时间。这样既提高了响应度又提高了工作速度。此外，我们还可以在另一个端面涂一层反射膜进一步促进光的反射吸收。通过优化两个端面的反射率形成共振谐振腔增强型rce结构可以有效地提高入射光的吸收。

　　图1 pin光电探测器基本结构

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