光电PIN探测器
发布时间:2008/12/3 0:00:00 访问次数:592
尽管这一材料体系的pin通常只含有algasb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用lpe方法在350～500＇c温度下生长在gasb衬底上，较低的温度用来生长重掺杂p型，较高的温度用来生长n型，′通过用掺碲和掺锗的方法来实现n型和p型掺杂。
第一支该材料的二极管如图1（a）所示［14］，它具有gasb/algasb异质结构，量子效率达到了54%，响应波长为1 ptm到1.7 ptm。通过在异质结间加一层本征algasb层实现pin结构如图1（b）所示，同时响应波长降到了1.3 gm。图1（c）所示结构的本征层由两种不同组分algaassb层构成，这种平面结构和保护环增大了击穿电压，减小了暗电流。图1（d）是这些不同结构的波长响应曲线，同时绘制出了上节中ingaa/lnp结构波长吸收曲线。这些algaassb光电探测器的主要问题是暗电流较大，在表面会有较大漏电流，。因此现在已逐渐被ingaas/ingaasp材料所取代。
图1 algaassb光电探测器
欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）
尽管这一材料体系的pin通常只含有algasb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用lpe方法在350～500＇c温度下生长在gasb衬底上，较低的温度用来生长重掺杂p型，较高的温度用来生长n型，′通过用掺碲和掺锗的方法来实现n型和p型掺杂。
第一支该材料的二极管如图1（a）所示［14］，它具有gasb/algasb异质结构，量子效率达到了54%，响应波长为1 ptm到1.7 ptm。通过在异质结间加一层本征algasb层实现pin结构如图1（b）所示，同时响应波长降到了1.3 gm。图1（c）所示结构的本征层由两种不同组分algaassb层构成，这种平面结构和保护环增大了击穿电压，减小了暗电流。图1（d）是这些不同结构的波长响应曲线，同时绘制出了上节中ingaa/lnp结构波长吸收曲线。这些algaassb光电探测器的主要问题是暗电流较大，在表面会有较大漏电流，。因此现在已逐渐被ingaas/ingaasp材料所取代。
图1 algaassb光电探测器
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