接下来我们看一下uv-eprom的读操作。无论怎么说，这只是作为rom（read only memory，只读存储器）的操作，因而非常简单。

　　将地址总线（a₀～a₁₆）设置为希望访问的地址，当ce＝oe＝低电平时，dq中出现数据。

　　现在，让我们来讨论ac特性。

　　ac特性对时序进行了规定。图显示了am27c0l0读操作时的波形。具体的时序如表所示。在“速度等级”一栏中虽然有许多内容，但这表示即使是相同的器件，也将根据t_acc时间进行区分。器件中标示速度等级的“—45”及“－90”等的数值是与器件型号及批号等一同被打印上去的。

　　图 am27c010读操作的波形

　　表 am27c010的ac时序

　　这并不是根据速度等级的不同而进行不同的设计，即使是以完全相同的设计进行制造，也将根据试验结果和出货计划进行等级分类。例如，“－ 90”器件的t_acc最大是90ns，它不能归类到“－70”的器件中。也就是说，t_acc的实际测量值如果不是大于70ns、低于90ns之间的值，那么根据情况，可能被归类到“－45”及“—70”等的等级中。

　　下面我们针对图示的时序做少许补充。

　　1. t_acc：地址访问时间（address access time）

　　在维持ce＝de＝“l”（低电平）的状态下，如果改变地址总线的状态，则一定时间后该地址的数据将显现于dq端。从地址确定后到数据被实际确定之间的时间就是t_acc。在t_acc时间形成之前，不能确保dq端出现数据。

　　2. t_ce：ce访问时间

　　在地址确定、oe仍然维持“l”低电平的状态下，如果ce有效（为“l”），则一定时间之后将出现指定地址的数据。从ce有效到确保数据已确定这一段时间是t_ce。am27c010的t_acc和t_ce的时间是相同的。

　　3. toe

　　在地址确定、ce维持“l”低电平的状态下，从oe有效到数据被确定的时间就是t_oe。观察存储器内部，一旦地址确定、ce有效,则向存储器单元的访问就全部完成，数据输出到eprom的输出缓冲器前。

　　在此，只要oe有效，输出缓冲器就输出数据。为此，比较t_acc和t_ce，t_oe会更短。

　　t_acc、t_ce和t_oe无论哪个都不能单独确定大小，必须在整体中去适应速度最慢的那个时间值。例如，在利用了am27c0l0 qn的系统中，地址确定后，在5ns后ce有效，再5ns后oe有效。从表中可看出，t_acc＝t_ce＝90ns，t_oe＝40ns。

　　如果以地址被确定那一时刻作为起点，则：

　　根据t_acc的访问时间：90ns

　　根据t_ce的访问时间：5ns＋90ns＝95ns

　　根据t_oe的访问时间：5ns＋5ns＋40ns＝50ns

　　因而，访问时间的大小取决于t_acc、t_ce和t_oe中最长的t_ce，也就是说地址被指定后数据将在95ns后被确定。

　　4. tdf

　　ce及oe如果无效，则dq引脚处于高阻抗状态。但这也不能说是瞬间，还是需要一些时间的，该时间就是t_df。在t_df以内的时间里，如果其他的器件驱动了数据总线，则将会与eprom的输出发生冲突。因此，在进行硬件设计时必须注意这一点。

　　5. _toh

　　提供给eprom的地址发生变化，或者即使ce和oe无效，瞬间数据也不会消失，而是在非常短的时间内，维持输出的原始状态。规定的这个最小时间就是t_oh。

　　am27c010的该时间全部是零，所以不能确保地址发生变化或者oe及ce无效后的数据。

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