写入时，通过给栅极加上高电压vpp，如图1所示，向浮置栅注入电荷。注人后的电荷由于不具备穿透硅氧化膜能壁的能量·因而只能维持现状。

图1 uv－eprom的写入

　　当浮置栅接收到紫外线的照射，浮置栅中的电子接收了紫外线光量子的能量，则电子变成具有穿透硅氧化膜能壁能量的热电子。如图2所示，热电子穿透硅氧化膜，流向基板和栅极，恢复为擦除状态。uv-eprom的擦除操作，只能通过接收紫外线的照射来进行，而不能进行电子擦除。也就是说，uv-eprom只能够进行由“1”向“0”改变比特数，而在反方向上．除擦除芯片全部内容的方法以外，再没有其他的方法。

图2 uv-eprom的擦除

　　我们知道，光的能量与光的波长成反比例关系，为了让电子成为热电子，从而具有穿透氧化膜的能量，就非常需要波长较短的光即紫外线的照射。由于擦除时间决定于光量子的数目，因而即使在波长较短的情况下，也不能缩短擦除时间。一般地，当波长为400oa（400nm）左右时才开始进行擦除。在3000a左右基本达到饱和。低于3000a以后，波长即使再短，对于擦除时间也不会产生什么影响。

　　uv－eprom擦除的标准一般为接受波长2537a、12 000μw／cm²的紫外线15～20分钟左右的照射，即可完成其擦除操作。

　　根据擦除机制可知，即使得到热能，浮置栅电荷的消失也是发生在某一概率下。其发生的概率是随着器件绝对温度的上升以指数函数递增的。

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