闪速存储器根据单元的连接方式，如表所示，可分成nand、nor、dinor（divided bit line nor）及and几类。nand闪速存储器单元的连接方式如图1所示，nor闪速存储器如图2所示，dinor闪速存储器如图3所示，and闪速存储器单元的结构如图4所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是nor及nand两种，其中只有nand闪速存储器的单元是串联的，其他所有类型的单元都是并联的。

　　表 闪速存储器的单元方式

　　nor闪速存储器以读取速度100ns的高速在随机存取中受到人们的青睐。但由于其单元尺寸大于nand闪速存储器，存在着难以进行高度集成的问题。写人时采用che（channel hotelectron，沟道热电子）方式，即在栅－漏之间加上高电压，提高通过沟道的电子能量，向浮置栅中注入电荷。这样，由于损耗电流变大，在写入时必须由外部其他途径提供＋12v左右的电源，因而不适合低电压操作。

　　图1 nand闪速存储器的单元结构

　　图2 nor闪速存储器的单元结构

　　与nor闪速存储器相比较，东芝公司开发的nand闪速存储器却能够进行高度集成，写人方式也因采用了被称为隧道的方式，即利用了氧化膜所引起的隧道效应现象，故与nor闪速存储器相比，具有损耗电流较小的特征。但在另一方面，由于单元是串联连结的，所以面向顺序存取，具有随机存取速度慢的缺点。

　　图3 dinor闪速存储器的单元结构

　　三菱与日立结合nand及nor闪速存储器的特点，开发了dinor（divided bit－line nor）闪速存储器以及and闪速存储器。

　　dinor闪速存储器的结构是将数据线（位线）分离成主数据线与子数据线的层次，通过各个存储器单元与子数据线的连接，既可以具有像nand那样的高度可集成性，又具各与nor同等程度以上的高速随机存取性。因为写人操作也采用了隧道方式，所以较小的写入电流就可完成写人操作。又因数据置换所需要的高电压升压电路可以设计于芯片内部，因此可以进行低电压的单一电源操作。

　　图4 and闪速存储器的单元结构

　　and闪速存储器单元的源线也设计了分离的子源线，是倾向于顺序存取的产品。除了能够以与硬盘一个扇区相同的512字节大小的小块单位进行写人及读取操作以外，还具有dinor的低功耗特长，可以面向硅盘等展开应用。单元的连接方式与nor闪速存储器相同，写入逻辑为反相（nor写人时v_th变高，而and式则降低），命名为and式。

　　现在的nor闪速存储器也致力于改良，目的在于将写人操作也采用隧道方式以降低功耗，或者通过单元物理结构上的改善等，使低电压单一电源类型的闪速存储器也形成产品。以文件为使用目的的and及nand两种类型的闪速存储器目前已在市场上流通，应用于大容量的flash ata卡等方面。

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