高频开关的集成电路直接驱动
发布时间:2008/10/14 0:00:00 访问次数:448
（1）应用条件。驱动芯片的浮地端可以与mosfet源端同电位相连，驱动芯片pwm功率输出级能拉、灌电流500 ma，一般可以直接驱动数十安的mosfet和igbt。
（2）电路，其电路如图1所示，其中v3为被驱动的mosfet，v1提供“拉”电流，v2提供“灌”电流。r1（5～10ω）用米限制峰值电流，以减小尖峰干扰。r2为静态放电电阻（1≈100 kω），电路不通电时，保证cgs处在无电压状态，以防止v3长期处于导通状态，并使栅－源之间处在低电阻状态，不易受到外界的干扰，或使栅一源击穿。
图1直接驱动电路
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（1）应用条件。驱动芯片的浮地端可以与mosfet源端同电位相连，驱动芯片pwm功率输出级能拉、灌电流500 ma，一般可以直接驱动数十安的mosfet和igbt。
（2）电路，其电路如图1所示，其中v3为被驱动的mosfet，v1提供“拉”电流，v2提供“灌”电流。r1（5～10ω）用米限制峰值电流，以减小尖峰干扰。r2为静态放电电阻（1≈100 kω），电路不通电时，保证cgs处在无电压状态，以防止v3长期处于导通状态，并使栅－源之间处在低电阻状态，不易受到外界的干扰，或使栅一源击穿。
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