高频开关用变压器耦合驱动
发布时间:2008/10/14 0:00:00 访问次数:524
1）进行电气隔离
当驱动电路的浮地电位与被驱动的开关管源极电位不同时，应该采用电位隔离的方式驱动，其方法之一是用变压器耦合隔离驱动，这样可以传输足够大的驱动电压和驱动电流。
2）电路
采用变压器耦合的驱动电路如图1所示。图中v1和v2为控制集成芯片的输出级，v3为加人的功率放大级以驱动变压器的初级。变压器的初、次级对应端用“·”表示。
（1）上升沿：驱动脉冲电压前沿v3导通，带“·”的a端为正，变压器次级绕组的电压us为正，“·”端的输出电流经d1、d2、r4，对v5功率mosfet管的栅一源极之间的电容充电，迅速建立起驱动电压。
图1采用变压器耦合的驱动电路
（2）下降沿：v3截止时，“·”端a为负，经过r2产生v4基极电流，经v4放大后有足够的集电极电流使v5的栅一源极之间电容cgs迅速放电。
欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
1）进行电气隔离
当驱动电路的浮地电位与被驱动的开关管源极电位不同时，应该采用电位隔离的方式驱动，其方法之一是用变压器耦合隔离驱动，这样可以传输足够大的驱动电压和驱动电流。
2）电路
采用变压器耦合的驱动电路如图1所示。图中v1和v2为控制集成芯片的输出级，v3为加人的功率放大级以驱动变压器的初级。变压器的初、次级对应端用“·”表示。
（1）上升沿：驱动脉冲电压前沿v3导通，带“·”的a端为正，变压器次级绕组的电压us为正，“·”端的输出电流经d1、d2、r4，对v5功率mosfet管的栅一源极之间的电容充电，迅速建立起驱动电压。
图1采用变压器耦合的驱动电路
（2）下降沿：v3截止时，“·”端a为负，经过r2产生v4基极电流，经v4放大后有足够的集电极电流使v5的栅一源极之间电容cgs迅速放电。
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