摘要：美国国家半导体公司(nationalsemiconductorcorporation)宣布推出三款lmv83x系列全新运算放大器。该系列新品内置抗电磁干扰滤波器，可以抑制射频电波的干扰，有助于提高模拟系统的准确性。lmv83x系列运算放大器的电磁干扰抑制比(emirr)高达120db，为业界之最，而且可减少电磁干扰（emi）引致的信号错误。lmv83x运算放大器来自美国国家半导体powerwiseâ高能效产品系列，单位增益带宽高达3mhz，而供电电流只需240ua，换言之，该系列新品的功率/性能比高达80ua/mhz。

　　lmv831单组装、lmv832双组装及lmv834四组装运算放大器都具有极高的抗电磁干扰能力，因此设计者无需加装金属罩屏蔽、滤波器及其他元件，而且还节省了开发时间，缩小了电路板面积。最重要的一点是这几款芯片都适用于噪声干扰密集的环境。对于电磁干扰特别敏感的电话配件、医疗设备、高精度重量计及个别行业专用的电子设备尤其适用。以重量计为例，射频信号的干扰会产生高达1v的输出电压偏移，以致模拟/数字转换器的10位分辨率(1024个代码)降至相当于3位分辨率。若采用lmv83x系列运算放大器，分辨率只会降低0.2位。许多不同的电子设备，例如滤波器/缓冲器、光电二极管前置放大器及压电传感器，都可采用lmv83x系列放大器芯片，以提高其抗电磁干扰的能力。

　　美国国家半导体不久前曾分别推出单位增益带宽高达8mhz的lmv851/52/54系列放大器及单位增益带宽高达30mhz的lmv861/62系列放大器。而此次推出的lmv83x系列放大器是该公司同类芯片的最新产品，均采用了美国国家半导体cmos7专利工艺技术，不仅能效最优，而且性能最佳。

　　为了方便工程师准确评估运算放大器的抗电磁干扰能力，美国国家半导体专门为他们提供了一个以电磁干扰抑制比(emirr)为衡量基准的参考指标。工程师只需比较不同的数字，便可准确评定运算放大器不同引脚的抗电磁干扰能力。美国国家半导体还提供评估电路板，帮助工程师加快整个设计过程。此外，工程师还可搭配使用美国国家半导体多款具有1lsb、串行外围设备接口(spi)的模拟/数字转换器，以及i2c接口的10位、12位模拟/数字转换器：　　adc121sxx1、adc101sxx1、adc122sxx1、adc102sxx1、adc124sxx1、adc104sxx1、spi接口的adc108sxx2及adc128sxx2、以及i2c接口的adc121c021和adc101c021等。

　　抗电磁干扰能力极高的lmv831/32/34运算放大器--技术规格及特色

　　lmv831单组装、lmv832双组装及lmv834四组装运算放大器都可支持cmos输入，输入偏移电压不超过1mv，并设有轨到轨输出级，包括接地电压在内的输入共模电压范围。lmv83x系列芯片的共模抑制比(cmrr)及电源抑制比(psrr)都同样高达93db，即使驱动200pf这样大的电容负载，仍可发挥极高的稳定性，而且还适用于摄氏-40度至125度的宽温度范围。lmv831芯片采用5引脚sc70封装，lmv832芯片采用8引脚msop封装，而lmv834芯片则采用14引脚tssop封装。

　　价格及供货情况

　　lmv831、lmv832及lmv834三款芯片采购均以1．000颗为单位，lmv831芯片的单颗价为0.55美元；lmv832芯片的单颗价为0.79美元；而lmv834芯片的单颗价则为1.10美元。这三款抗电磁干扰能力极高的运算放大器芯片全部都有样品供应，并于2008年第三季开始批量供货。

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