传统射频放大器使用分立晶体管有源器件，主要原因是器件价格低廉。而随着运放性能的提高和批量应用的推动，射频放大器采用运放已成大势所趋。相对于分立晶体管，高速运放确实有其长处：首先，前者构成的放大器，其增益和带宽与晶体管的偏流和工作点关系很大，调整起来相对困难；而运放的增益是不受偏置影响的。其次，运放还能减少工作温度范围内的参数漂移，使工作更可靠和稳定。

　　众所周知，运放又可分为电压反馈式（ｖｆｂ）和电流反馈式（ｃｆｂ）两种。在实际应用中，大量使用的是ｖｆｂ运放，但在射频放大器应用中，ｃｆｂ运放具有更出色的性能。ｖｆｂ运放的增益一带宽积是恒定的，增益受到带宽的限制；ｃｆｂ运放在接近最高频率处仍有较高的增益。例如，ｖｆｂ运放ｔｈｓ４００１开环带宽（－３ｄｂ）为２７０ｍｈｚ，增益为１００（２０ｄｂ）时可用带宽仅为１０ｍｈｚ；而ｃｆｂ运放ｔｈｓ３００１开环带宽（－３ｄｂ）为４２０ｍｈｚ，增益１００时可用带宽可达１５０ｍｈｚ。

　　当然，射频设计者还要了解ｃｆｂ运放的一些特点：

　　·放大器用运放的内部构造有所不同，但构成放大器的基本拓扑没有改变。

　　·ｃｆｂ运放数据表推荐的反馈电阻ｒｆ值应严格遵守，增益应用ｒｇ来调整。

　　·反馈环中不能有电容存在。

　　放大器的基本拓扑和参数

　　ｃｆｂ运放射频放大器的基本拓扑仍是反馈放大器结构，有同相放大器和反相放大器两种形式。另一方面，对射频电路而言，要特别关注输入端与输出端的阻抗匹配问题，系统常用５０ω电缆连接，由于运放的输入阻抗高，因而输入端并接一个５０ω电阻；在输出端，运放输出阻抗低，故而串接了一个５０ω电阻。这样，同相放大器就如图１所示。

　　射频电路性能通常用４个散射（ｓ）参数来表征。术语“散射”隐含着损耗的意思。反射，即散射参数ｓ１１与ｓ１２会减少有用的信号，反向传输ｓ１２从负载处返回输出功率，只有正传输ｓ２１是有用的散射参数。设计射频电路就是要减少ｓ１１、ｓ２２与ｓ１２而提高ｓ２１。射频放大器小信号交流参数可从ｓ参数推得，两者的关系见表１，这些指标是频率依赖的。

　　输入与输出电压驻波比（ｖｓｗｒ）是个比值，因而是一个无单位量，它是输入、输出阻抗与源阻抗、负载阻抗匹配的度量，为了避免反射应尽可能地匹配。ｖｓｗｒ定义为：

　　ｖｓｗｒ＝ｚ（ｉ／ｏ）／ｚｓ或ｚｓ／ｚ（ｉ／ｏ）

　　理想的ｖｓｗｒ等于１：１，然而典型的ｖｓｗｒ在工作频率范围内不会好于１．５：１。运放的输入、输出阻抗是设计者选择的外部元件确定的，因此运放的数据表并未对ｖｓｗｒ作出规定。回波损耗—该值与ｖｓｗｒ的关系为：

　　回波损耗　＝２０ｌｏｇ（ｖｓｗｒ＋１）／（ｖｓｗｒ－１）＝１０ｌｏｇ（ｓ１１）２（输入）＝１０ｌｏｇ（ｓ２２）２（输出）

　　由于输出阻抗在射频处不是与ｚｌ完全匹配的，它随环增益减少而逐渐增大，因而ｒｏ并联了一个电容进行补偿。

　　正向传输ｓ２１是由输入电阻ｒｇ和反馈电阻ｒｆ确定的，对同相型运放ｓ２１表示为：

　　ｓ２１＝ａｌ＝１／２（１＋ｒｆ／ｒｇ）

　　注意，输出端增加了一个串联电阻，电压分压使增益降低了一半。对射频放大，常用功率增益来表示：

　　ｐｏ（ｄｂｍ）＝１０ｌｏｇ（绝对功率／０．００１ｗ）

　　ｄｂｍ＝ｄｂｖ＋１３（５０ω终端电阻）

　　反向传输ｓ１２表示输入与输出的隔离度，ｃｆｂ射频运放的隔离度相当不错，尤其是同相型放大器，它的反馈连接在反相端，使隔离更佳。

　　相位线性度—设计者常常关心ｒｆ电路的相位响应，ｃｆｂ放大器的相位线性度比ｖｆｂ型放大器好，如：

　　ｖｆｂ　ｔｈｓ４００１的差分相移为０．１５°

　　ｃｆｂ　ｔｈｓ３００１的差分相移为０．０２°

　　频率响应平坦度——ｃｆｂ放大器可通过微调电阻（见图１倒相端串联的电阻）来调整频响的平坦度而不会影响正向增益。再加上微调电阻后，ｒｆ和ｒｇ值要相应地减少，但它们的比值保持不变，因而增益也保持不变。

　　－１ｄｂ压缩点—－１ｄｂ压缩点定义为：在固定频率下，放大器实际功率比预期值少１ｄｂ，换句话说，放大器增益比低功率下降低了１ｄｂ。－１ｄｂ压缩点是射频设计者对电压轨值的一种表述。射频设计者更关注增益的最大化，轻微的嵌位是允许的，只要产生的谐波在相关法规的范围内，于是确定了－１ｄｂ压缩点。

　　标准交流耦合ｒｆ放大器在工作频率范围内显示出相对恒定的－１ｄｂ压缩点。在低频下，增加固定频率的功率最终会将输出驱动至轨值，即ｖｏｍ指标；在高频下，运放会受到转换速率的限制，由于输出使用了