为半导体行业提供高级化学机械研磨(cmp)技术的罗门哈斯公司电子材料公司，继与ibm公司签署协议共同开发为32纳米以下制程的注入提供支持的电路图案成形(patterning)材料和工艺后，近日又宣布与ibm签署了另一项联合开发协定。此项合作将专注于开发用于32纳米和22纳米技术节点的铜线和低绝缘(low-k)介质集成的cmp工艺技术。

　　根据该协议，两家公司将制定出一个完整的cmp耗材方案来支持32纳米和22纳米制程半导体器件的大规模生产。

　　目前，罗门哈斯的研发集中在低压力研磨技术上，该技术在恶劣的条件下仍然可以实现大规模、可重演的生产。罗门哈斯提供多种特定用途的cmp耗材组合，并开发出了用于下一代技术节点的突破性技术，同时满足了器件制造商的低成本需求。

　　“随着技术越来越复杂，要成功制造器件，研磨垫和研磨液技术变得至关重要”，ibm的半导体制程技术高级经理dr. jeffrey hedrick说，“把罗门哈斯在电子材料领域全球闻名的专业能力与ibm在cmp制程技术方面的丰富知识相结合，有助于我们应对未来cmp技术的挑战。”

　　“30年来ibm一直是我们的重要客户和合作伙伴，实际上它也是世界上首家把cmp技术引入到半导体制造过程的公司，”罗门哈斯电子材料部cmp技术总裁sam shoemaker说：“从那以后起，这种合作关系使我们一起为cmp研磨垫成功开发了好几个工业标准平台。我们希望这次与ibm的新合作能够有助于解决在铜互连方面的几个关键性问题，这些问题的解决将会惠及ibm及其客户，并最终促成有益于半导体工业的技术进步。”

　　“开发用于先进技术节点的cmp耗材现在变得极为复杂，”罗门哈斯电子材料的首席技术官cathie markham解释说，“要成功研发用于32纳米和22纳米技术节点的cmp制程，需要彻底了解不同制程条件下研磨垫，研磨液和调节剂之间的相互作用。而罗门哈斯在研磨垫，聚合物，研磨液以及cmp制程方面的专业性，决定了罗门哈斯在开发新一代cmp制程相关技术方面拥有着独一无二的优势。”

　　双方将在ibm位于纽约的yorktown heights研发部门、albany nanotech项目基地--ualbany nanocollege，以及位于特拉华(delaware)州newark和亚里桑那(arizona)州phoenix的罗门哈斯研发中心开展合作。