ROHM发布高速低功耗CMOS运算放大器新品
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:448
半导体生产商rohm株式会社,针对力求省电的笔记本电脑、数码相机、游戏机等便携数码产品,推出高可靠性cmos运算放大器、比较器。共发布24种1ch、2ch的高速型、低功耗型cmos运算放大器、比较器。首先是从需求量大的1ch产品的样品出货、量产开始。3月份推出高速型bu7261g、bu7261sg和低功耗型bu7241g、bu7241sg运算放大器样品。
而cmos比较器则从2007年4月开始推出高速型bu7251g、bu7251sg,与低功耗型bu7231g、bu7231sg样品,2007年7月开始量产。目前整合cmos运算放大器与比较器,月产量达1千万,在2008年3月以前将24种产品全部投入量产,进而向月产3千万的目标挺进。
此次开发的cmos运算放大器、比较器系列产品,可以让cpu、dsp在1.8v的低电压环境下工作。此外,输入输出采用最大摆动类型,即使是低电压下也可以自由地控制由gnd到电源电压的全部信号。低功耗型cmos运算放大器bu7241g、bu7241sg的消耗电流仅为70μa,低功耗型coms比较器的消耗电流仅为5μa,从而实现了低电流功耗。
由于高速cmos运算放大器bu7261g、bu7261sg具有1.1v/μs的高转换速率,而cmos比较器bu7251g、bu7251sg的响应时间也仅为0.55μs,因此能够在便携数码产品的音频信号处理以及各种传感信号处理中发挥巨大作用。
rohm此次开发的cmos运算放大器、比较器系列,采用其独有的线路布局技术,无需提高输入偏压电流,即可实现高于以往产品2倍的4kv高esd耐量。这样,在装配的时候,就极大地减少了静电对ic的破坏,从而显著提高了产品的安全可靠性。而cmos运算放大器bu7241sg、bu7261sg,以及cmos比较器bu7231sg、bu7251sg,能够确保在-40℃至105℃的宽温度范围内正常工作,适用于对可靠性要求较高的产品。
1ch cmos运算放大器、比较器的主要特性
电源与gnd间的信号输入输出,采用最大摆动的输入输出方式(当vdd=3v时,可能的输入电压值为0v~3v)
适用于电池的1.8v低电压驱动
高esd耐量:4kv(hbm法)
低输入偏压电流(1pa)
高转换速率:1.1 v/μs(cmos运算放大器:bu7261g、bu7261sg),超短响应时间:0.55μs(cmos比较器:7251g、bu7251sg)
低消耗电流:70μa(cmos运算放大器:bu7241g 、bu7241sg)、5μa(cmos比较器:bu7231g、bu7231sg)
工作温度范围宽:-40℃~+105℃(cmos运算放大器:bu7261sg、bu7241sg,cmos比较器:bu7261sg、bu7251sg)
小型封装:ssop5(sot-23相当)
半导体生产商rohm株式会社,针对力求省电的笔记本电脑、数码相机、游戏机等便携数码产品,推出高可靠性cmos运算放大器、比较器。共发布24种1ch、2ch的高速型、低功耗型cmos运算放大器、比较器。首先是从需求量大的1ch产品的样品出货、量产开始。3月份推出高速型bu7261g、bu7261sg和低功耗型bu7241g、bu7241sg运算放大器样品。
而cmos比较器则从2007年4月开始推出高速型bu7251g、bu7251sg,与低功耗型bu7231g、bu7231sg样品,2007年7月开始量产。目前整合cmos运算放大器与比较器,月产量达1千万,在2008年3月以前将24种产品全部投入量产,进而向月产3千万的目标挺进。
此次开发的cmos运算放大器、比较器系列产品,可以让cpu、dsp在1.8v的低电压环境下工作。此外,输入输出采用最大摆动类型,即使是低电压下也可以自由地控制由gnd到电源电压的全部信号。低功耗型cmos运算放大器bu7241g、bu7241sg的消耗电流仅为70μa,低功耗型coms比较器的消耗电流仅为5μa,从而实现了低电流功耗。
由于高速cmos运算放大器bu7261g、bu7261sg具有1.1v/μs的高转换速率,而cmos比较器bu7251g、bu7251sg的响应时间也仅为0.55μs,因此能够在便携数码产品的音频信号处理以及各种传感信号处理中发挥巨大作用。
rohm此次开发的cmos运算放大器、比较器系列,采用其独有的线路布局技术,无需提高输入偏压电流,即可实现高于以往产品2倍的4kv高esd耐量。这样,在装配的时候,就极大地减少了静电对ic的破坏,从而显著提高了产品的安全可靠性。而cmos运算放大器bu7241sg、bu7261sg,以及cmos比较器bu7231sg、bu7251sg,能够确保在-40℃至105℃的宽温度范围内正常工作,适用于对可靠性要求较高的产品。
1ch cmos运算放大器、比较器的主要特性
电源与gnd间的信号输入输出,采用最大摆动的输入输出方式(当vdd=3v时,可能的输入电压值为0v~3v)
适用于电池的1.8v低电压驱动
高esd耐量:4kv(hbm法)
低输入偏压电流(1pa)
高转换速率:1.1 v/μs(cmos运算放大器:bu7261g、bu7261sg),超短响应时间:0.55μs(cmos比较器:7251g、bu7251sg)
低消耗电流:70μa(cmos运算放大器:bu7241g 、bu7241sg)、5μa(cmos比较器:bu7231g、bu7231sg)
工作温度范围宽:-40℃~+105℃(cmos运算放大器:bu7261sg、bu7241sg,cmos比较器:bu7261sg、bu7251sg)
小型封装:ssop5(sot-23相当)