Microsemi推出具有高性能和价格竞争优势的超薄紧凑型功率模块
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:515
microsemi公司宣布推出一个包括有38个标准功率模块的新产品系列,该系列产品采用非常扁平的超薄型紧凑sp1封装。主要应用于功率因数校正、电动机控制、ups、电源、太阳能逆变器以及电焊机变换器等。
由于新产品系列的外廓只有12mm高,所以寄生电感极小;可焊接引脚容易安装到顶部印制的电路板上。该系列模块集成了一个基板,因而可以使用更薄的dbc 衬底。这使得模块与散热器之间能完全电隔离的同时,又具有极好的散热能力,很低的热阻。
这个超薄紧凑型新系列模块,相当于两个sot227封装组合在单个sp1封装中,填补了sot227和sp3封装产品尺寸之间的空白。sp3模块相当于四个sot227封装的组合。
在merignac, france的功率模块产品开发部总监serge bontemps说:“sp1封装具有的超薄扁平外廓和内部布局使得模块的寄生电感极小,因此终端用户能够获得超快半导体器件的卓越性能。我们sp1新产品系列的38个功率模块在涉及器件所占空间、电和热性能、重量以及价格的方方面面提供了多种极好的选择。”
microsemi的这个新模块系列产品包括有相臂(phase leg)、全桥(full bridge)、降压(buck)和升压(boost)电路组合。全桥模块的发射极/源极位于底部,为使用电流传感器提供了分开的单独连接。所有的新模块都集成了一个热传感器,能对外壳的温度进行监测,并提供过热保护。
四种电路组合模块提供多种类型晶体管的选择:如相臂和全桥模块采用fredfet为开关器件;降压和升压模块采用标准mosfet,另外也可采用coolmos, npt和trench igbt等作为开关器件。
所有的 sp1封装的 mosfet 和 fredfet标准模块都采用microsemi 功率产品部开发的最新mos8tm 功率 mosfet。mosfet、fredfet 和 coolmos? 模块的电压范围为500v ~1200v,电流额定值范围为11a~70a@tc=80℃。npt和trench igbt模块的电压范围为600v~1700v,电流额定值范围为20a ~150a@tc= 80℃。
虽然sp1系列产品是为工业应用所设计的标准模块,但是很容易升级它们,能承受更加苛刻的环境要求:
- 可用氮化铝衬底替代标准氧化铝衬底来提高热性能
- 可用碳化硅(sic)二极管替代快恢复外延二极管(fred),来降低开关损耗或提高开关频率
- 可用碳化硅铝(alsic)基板替代标准的铜基板来减轻重量,延长在宽范围温度循环下的使用寿命
样品可立即获得,订货量为10k块的订货至交货的时间为8至12周。当购买数量为1000 至2500块时,价格在$13.60~$48.17之间。
有关全新的sp1功率模块系列的完整文件、数据手册可在 microsemi公司的网站www.microsemi.com获得。
microsemi公司宣布推出一个包括有38个标准功率模块的新产品系列,该系列产品采用非常扁平的超薄型紧凑sp1封装。主要应用于功率因数校正、电动机控制、ups、电源、太阳能逆变器以及电焊机变换器等。
由于新产品系列的外廓只有12mm高,所以寄生电感极小;可焊接引脚容易安装到顶部印制的电路板上。该系列模块集成了一个基板,因而可以使用更薄的dbc 衬底。这使得模块与散热器之间能完全电隔离的同时,又具有极好的散热能力,很低的热阻。
这个超薄紧凑型新系列模块,相当于两个sot227封装组合在单个sp1封装中,填补了sot227和sp3封装产品尺寸之间的空白。sp3模块相当于四个sot227封装的组合。
在merignac, france的功率模块产品开发部总监serge bontemps说:“sp1封装具有的超薄扁平外廓和内部布局使得模块的寄生电感极小,因此终端用户能够获得超快半导体器件的卓越性能。我们sp1新产品系列的38个功率模块在涉及器件所占空间、电和热性能、重量以及价格的方方面面提供了多种极好的选择。”
microsemi的这个新模块系列产品包括有相臂(phase leg)、全桥(full bridge)、降压(buck)和升压(boost)电路组合。全桥模块的发射极/源极位于底部,为使用电流传感器提供了分开的单独连接。所有的新模块都集成了一个热传感器,能对外壳的温度进行监测,并提供过热保护。
四种电路组合模块提供多种类型晶体管的选择:如相臂和全桥模块采用fredfet为开关器件;降压和升压模块采用标准mosfet,另外也可采用coolmos, npt和trench igbt等作为开关器件。
所有的 sp1封装的 mosfet 和 fredfet标准模块都采用microsemi 功率产品部开发的最新mos8tm 功率 mosfet。mosfet、fredfet 和 coolmos? 模块的电压范围为500v ~1200v,电流额定值范围为11a~70a@tc=80℃。npt和trench igbt模块的电压范围为600v~1700v,电流额定值范围为20a ~150a@tc= 80℃。
虽然sp1系列产品是为工业应用所设计的标准模块,但是很容易升级它们,能承受更加苛刻的环境要求:
- 可用氮化铝衬底替代标准氧化铝衬底来提高热性能
- 可用碳化硅(sic)二极管替代快恢复外延二极管(fred),来降低开关损耗或提高开关频率
- 可用碳化硅铝(alsic)基板替代标准的铜基板来减轻重量,延长在宽范围温度循环下的使用寿命
样品可立即获得,订货量为10k块的订货至交货的时间为8至12周。当购买数量为1000 至2500块时,价格在$13.60~$48.17之间。
有关全新的sp1功率模块系列的完整文件、数据手册可在 microsemi公司的网站www.microsemi.com获得。