根据硅片在室温下预键合时硅片表面的亲水情况，硅-硅直接键合技术分为两种:亲水键合和疏水键合。亲水键合是一种常用的硅-硅直接键合技术，也是发展最早，它是要求硅片在室温下预键合时硅片表面的亲水，吸附大量的oh根增强预键合时的硅片之间的相互作用力，所以亲水键合工艺简单、容易，并且成品率高。但是由于亲水的硅片表面有一层本征氧化层，键合界面的本征氧化层存在着不稳定性^[10~12]，引起界面电荷成为一个缺陷中心^[13~17]。所以，亲水键合硅片可能会影响器件的电学参数，增加器件的串联电阻等缺点，严重影响了亲水键合片在大功率器件方面的应用。

功率器件的电流从键合界面流过，要求键合界面象外延界面那样没有本征氧化层作为中间夹层，是完全意义上的硅与硅的连接。所以又发展了硅-硅直接键合技术的另一个分支--疏水键合技术。

疏水键合工艺过程如图1.8所示，主要工艺有活化、hf酸漂洗、键合、减薄和抛光。与亲水键合相比较，疏水键合是把经过活化处理过的硅片，放入到1~2%的稀释的hf酸溶液中浸泡1~2分钟，漂去硅片表面的本征氧化层，使硅片表面完全疏水，其它工艺步骤与亲水键合工艺相同。q.y.tong^[18]提出了疏水模型，疏水处理后的硅片表面的悬挂急键主要是h和f。si-h键显弱极化，有效电荷仅0.1e

根据硅片在室温下预键合时硅片表面的亲水情况，硅-硅直接键合技术分为两种:亲水键合和疏水键合。亲水键合是一种常用的硅-硅直接键合技术，也是发展最早，它是要求硅片在室温下预键合时硅片表面的亲水，吸附大量的oh根增强预键合时的硅片之间的相互作用力，所以亲水键合工艺简单、容易，并且成品率高。但是由于亲水的硅片表面有一层本征氧化层，键合界面的本征氧化层存在着不稳定性^[10~12]，引起界面电荷成为一个缺陷中心^[13~17]。所以，亲水键合硅片可能会影响器件的电学参数，增加器件的串联电阻等缺点，严重影响了亲水键合片在大功率器件方面的应用。

功率器件的电流从键合界面流过，要求键合界面象外延界面那样没有本征氧化层作为中间夹层，是完全意义上的硅与硅的连接。所以又发展了硅-硅直接键合技术的另一个分支--疏水键合技术。

疏水键合工艺过程如图1.8所示，主要工艺有活化、hf酸漂洗、键合、减薄和抛光。与亲水键合相比较，疏水键合是把经过活化处理过的硅片，放入到1~2%的稀释的hf酸溶液中浸泡1~2分钟，漂去硅片表面的本征氧化层，使硅片表面完全疏水，其它工艺步骤与亲水键合工艺相同。q.y.tong^[18]提出了疏水模型，疏水处理后的硅片表面的悬挂急键主要是h和f。si-h键显弱极化，有效电荷仅0.1e