亲水键合的工艺过程
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:981
亲水键合工艺虽然不断改进，并且应用到不同的领域，但亲水键合工艺的基本过程是类同的，一般分为三步[2]：
（1）将两片表面平整洁净的抛光硅片（氧化或未氧化）先经含oh-的溶液浸泡处理，使硅片的表面吸附足够的oh根离子；
（2）在室温下将硅片的抛光面贴合在一起，使两硅片在室温下依靠短程的分子间作用力（如h键）吸合在一起，由于这时硅片之间的作用力很弱，界面间有许多微小的没有键合上的区域；
（3）将贴合好的硅片在o2或n2环境下经过数小时的高温退火处理，使界面发生物理化学反应，键合强度急剧增强，界面间没有键合上的区域消失或被填充，增加键合强度而形成
亲水键合工艺虽然不断改进，并且应用到不同的领域，但亲水键合工艺的基本过程是类同的，一般分为三步[2]：
（1）将两片表面平整洁净的抛光硅片（氧化或未氧化）先经含oh-的溶液浸泡处理，使硅片的表面吸附足够的oh根离子；
（2）在室温下将硅片的抛光面贴合在一起，使两硅片在室温下依靠短程的分子间作用力（如h键）吸合在一起，由于这时硅片之间的作用力很弱，界面间有许多微小的没有键合上的区域；
（3）将贴合好的硅片在o2或n2环境下经过数小时的高温退火处理，使界面发生物理化学反应，键合强度急剧增强，界面间没有键合上的区域消失或被填充，增加键合强度而形成
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