Intel放弃157nm光刻技术
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:712
5月23日，intel宣布第二次重新调整自已光刻的发展策略，将放弃
采用157nm的光刻机。这一消息的公布，将极大地影响半导体设备制造
业及材料供应商。intel最初将希望寄托在发展157nm的扫描型光刻机，
目的是在2007年时用在45nm结点工艺中。此次，intel没有将157nm光刻
机作为发展32nm结点的理由，其中最主要原因是157nm的镜头材料，氟
化钙太贵，缺乏供应商。相反，intel却试图扩展193nm光刻机的功能到
下一代微处理器的发展中，包括90nm，65nm及45nm结点。
intel表示仍坚持每两年一个循环，来实现公司的工艺技术发展目
标.但是在实现45nm结点中，intel改变了现有的工艺路线。
目前，intel有两家光刻机供应商，asml及nikon。而且在发展65nm
结点中，intel已经分别为来自asml，nikon及canon三家的光刻机进行
了设备的评估。
原先，intel的光刻工艺发展规划是在2003年用193nm光刻机，解决
90nm结点，而在2005年用157nm光刻机解决65nm结点，最后在2007年用
极紫外光线(euv)解决45nm结点。
在此次调整中，intel表示90nm结点没有改变，而由于技术方面等
原因，将放弃157nm光刻技术的开发，而试图扩展现有的193nm技术至65nm
结点中。同时表示，将可能把现有的193nm技术，扩展用在45nm结点中，
但是对于euv技术已经明确表示，由于技术方面的原因将推迟发展。
除此之外，还有其它原因，如157nm的光刻胶及pellicle仍有困难。
同时研究者发现镜头材料其固有的双折射(birefringence)问题，至使
镜头材料达不到很高的水平，将严重地影响到镜头的设计及光刻图像的
质量。
要想采用现有的193nm光刻技术来实现低至65nm及45nm结点，肯定
尚有许多的问题。尽管目前许多供应商正在发展高数值孔径(na)的先进
193nm光刻机，但是，集成电路制造商必须在发展分辨率增强技术(ret)
等方面与之配合，如光学邻近效应校正(opc)技术，相移掩模(psm)技术
及离轴照明(oai)技术等。
采用157nm的光刻机。这一消息的公布，将极大地影响半导体设备制造
业及材料供应商。intel最初将希望寄托在发展157nm的扫描型光刻机，
目的是在2007年时用在45nm结点工艺中。此次，intel没有将157nm光刻
机作为发展32nm结点的理由，其中最主要原因是157nm的镜头材料，氟
化钙太贵，缺乏供应商。相反，intel却试图扩展193nm光刻机的功能到
下一代微处理器的发展中，包括90nm，65nm及45nm结点。
intel表示仍坚持每两年一个循环，来实现公司的工艺技术发展目
标.但是在实现45nm结点中，intel改变了现有的工艺路线。
目前，intel有两家光刻机供应商，asml及nikon。而且在发展65nm
结点中，intel已经分别为来自asml，nikon及canon三家的光刻机进行
了设备的评估。
原先，intel的光刻工艺发展规划是在2003年用193nm光刻机，解决
90nm结点，而在2005年用157nm光刻机解决65nm结点，最后在2007年用
极紫外光线(euv)解决45nm结点。
在此次调整中，intel表示90nm结点没有改变，而由于技术方面等
原因，将放弃157nm光刻技术的开发，而试图扩展现有的193nm技术至65nm
结点中。同时表示，将可能把现有的193nm技术，扩展用在45nm结点中，
但是对于euv技术已经明确表示，由于技术方面的原因将推迟发展。
除此之外，还有其它原因，如157nm的光刻胶及pellicle仍有困难。
同时研究者发现镜头材料其固有的双折射(birefringence)问题，至使
镜头材料达不到很高的水平，将严重地影响到镜头的设计及光刻图像的
质量。
要想采用现有的193nm光刻技术来实现低至65nm及45nm结点，肯定
尚有许多的问题。尽管目前许多供应商正在发展高数值孔径(na)的先进
193nm光刻机，但是，集成电路制造商必须在发展分辨率增强技术(ret)
等方面与之配合，如光学邻近效应校正(opc)技术，相移掩模(psm)技术
及离轴照明(oai)技术等。
5月23日，intel宣布第二次重新调整自已光刻的发展策略，将放弃
采用157nm的光刻机。这一消息的公布，将极大地影响半导体设备制造
业及材料供应商。intel最初将希望寄托在发展157nm的扫描型光刻机，
目的是在2007年时用在45nm结点工艺中。此次，intel没有将157nm光刻
机作为发展32nm结点的理由，其中最主要原因是157nm的镜头材料，氟
化钙太贵，缺乏供应商。相反，intel却试图扩展193nm光刻机的功能到
下一代微处理器的发展中，包括90nm，65nm及45nm结点。
intel表示仍坚持每两年一个循环，来实现公司的工艺技术发展目
标.但是在实现45nm结点中，intel改变了现有的工艺路线。
目前，intel有两家光刻机供应商，asml及nikon。而且在发展65nm
结点中，intel已经分别为来自asml，nikon及canon三家的光刻机进行
了设备的评估。
原先，intel的光刻工艺发展规划是在2003年用193nm光刻机，解决
90nm结点，而在2005年用157nm光刻机解决65nm结点，最后在2007年用
极紫外光线(euv)解决45nm结点。
在此次调整中，intel表示90nm结点没有改变，而由于技术方面等
原因，将放弃157nm光刻技术的开发，而试图扩展现有的193nm技术至65nm
结点中。同时表示，将可能把现有的193nm技术，扩展用在45nm结点中，
但是对于euv技术已经明确表示，由于技术方面的原因将推迟发展。
除此之外，还有其它原因，如157nm的光刻胶及pellicle仍有困难。
同时研究者发现镜头材料其固有的双折射(birefringence)问题，至使
镜头材料达不到很高的水平，将严重地影响到镜头的设计及光刻图像的
质量。
要想采用现有的193nm光刻技术来实现低至65nm及45nm结点，肯定
尚有许多的问题。尽管目前许多供应商正在发展高数值孔径(na)的先进
193nm光刻机，但是，集成电路制造商必须在发展分辨率增强技术(ret)
等方面与之配合，如光学邻近效应校正(opc)技术，相移掩模(psm)技术
及离轴照明(oai)技术等。
采用157nm的光刻机。这一消息的公布，将极大地影响半导体设备制造
业及材料供应商。intel最初将希望寄托在发展157nm的扫描型光刻机，
目的是在2007年时用在45nm结点工艺中。此次，intel没有将157nm光刻
机作为发展32nm结点的理由，其中最主要原因是157nm的镜头材料，氟
化钙太贵，缺乏供应商。相反，intel却试图扩展193nm光刻机的功能到
下一代微处理器的发展中，包括90nm，65nm及45nm结点。
intel表示仍坚持每两年一个循环，来实现公司的工艺技术发展目
标.但是在实现45nm结点中，intel改变了现有的工艺路线。
目前，intel有两家光刻机供应商，asml及nikon。而且在发展65nm
结点中，intel已经分别为来自asml，nikon及canon三家的光刻机进行
了设备的评估。
原先，intel的光刻工艺发展规划是在2003年用193nm光刻机，解决
90nm结点，而在2005年用157nm光刻机解决65nm结点，最后在2007年用
极紫外光线(euv)解决45nm结点。
在此次调整中，intel表示90nm结点没有改变，而由于技术方面等
原因，将放弃157nm光刻技术的开发，而试图扩展现有的193nm技术至65nm
结点中。同时表示，将可能把现有的193nm技术，扩展用在45nm结点中，
但是对于euv技术已经明确表示，由于技术方面的原因将推迟发展。
除此之外，还有其它原因，如157nm的光刻胶及pellicle仍有困难。
同时研究者发现镜头材料其固有的双折射(birefringence)问题，至使
镜头材料达不到很高的水平，将严重地影响到镜头的设计及光刻图像的
质量。
要想采用现有的193nm光刻技术来实现低至65nm及45nm结点，肯定
尚有许多的问题。尽管目前许多供应商正在发展高数值孔径(na)的先进
193nm光刻机，但是，集成电路制造商必须在发展分辨率增强技术(ret)
等方面与之配合，如光学邻近效应校正(opc)技术，相移掩模(psm)技术
及离轴照明(oai)技术等。
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