一．画pmos 的版图（新建一个名为pmos 的cell）
1． 画出有源区
在lsw 中，点击active（dg），注意这时lsw 顶部显示active 字样，说明active 层为当前所选层次。然后点击icon menu 中的rectangle icon，在vituoso editing 窗口中画一个宽为3.6u，长为6u 的矩形。这里我们为了定标，必须得用到标尺。点击
misc/ruler 即可得到。清除标尺点击misc/clear ruler。如果你在绘制时出错，点击需要去除的部分，然后点击delete icon。
2． 画栅
在lsw 中，点击poly（dg），画矩形。与有源区的位置关系如下图：

3．画整个pmos
为了表明我们画的是pmos 管，我们必须在刚才图形的基础上添加一个pselect 层，这一层
将覆盖整个有源区0.6u。接着，我们还要在整个管子外围画上nwell，它覆盖有源区1.8u。
如下图所示：

4．衬底连接
pmos 的衬底（nwell）必须连接到vdd。首先，画一个1.2u 乘1.2u 的active 矩形；然后在这个矩形的边上包围一层nselect 层（覆盖active0。6u）。最后将nwell 的矩形拉长，完成后如下图所示：

这样一个pmos 的版图就大致完成了。接着我们要给这个管子布线。
二．布线
pmos 管必须连接到输入信号源和电源上，因此我们必须在原图基础上布金属线。
1． 首先我们要完成有源区（源区和漏区）的连接。在源区和漏区上用contact（dg）层
分别画三个矩形，尺寸为0.6 乘0.6。注意：contact 间距为1.5u。
2． 用metal1（dg）层画两个矩形，他们分别覆盖源区和漏区上的contact，覆盖长度为
0.3u。
3． 为完成衬底连接，我们必须在衬底的有源区中间添加一个contact。这个contact 每
边都被active 覆盖0.3u。
4． 画用于电源的金属连线，宽度为3u。将其放置在pmos 版图的最上方。
布线完毕后的版图如下图所示：

图2-3-1 pmos 版图
通过以上步骤我们完成了pmos 的版图绘制。接下来我们将绘制出nmos 的版图。
三．画nmos 的版图
绘制nmos 管的步骤同pmos 管基本相同（新建一个名为nmos 的cell）。无非是某些参
数变化一下。下面给出nmos 管的图形及一些参数，具体绘制步骤就不再赘述。

四．完成整个非门的绘制及绘制输入、输出

1． 新建一个cell（inv）。将上面完成的两个版图拷贝到其中，并以多晶硅为基准将两图对齐。然后，我们可以将任意一个版图的多晶硅延长和另外一个的多晶硅相交。
2． 输入：为了与外部电路连接，我们需要用到metal2。但poly 和metal2 不能直接相连，因此我们必须得借助metal1 完成连接。具体步骤是：
a． 在两mos 管之间画一个0.6 乘0.6 的contact
b． 在这个contact 上覆盖poly，过覆盖0.3u
c． 在这个contact 的左边画一个0.6 乘0.6 的via，然后在其上覆盖metal2（dg），过覆盖0.3u
d． 用metal1 连接via 和contact，过覆盖为0.3u
从下图中