1999年微电子学研究所发表的学术论文

一、器件研究室

锗硅微波功率异质结双极晶体管

张进书，贾宏勇，陈培毅

中国电子学，11，1999

我们开发了一种简单的与硅工艺兼容的平面工艺，并研制成功适合微波功率应用的sige异质结双极晶体管（hbt）。其电流增益为50-320，收集极和发射极击穿电压分别达到28v和5v。在共发射极接法及c类工作条件下，连续波功率输出达5w，收集极转换效率为63%，在此基础上900m赫下工作，功率增益达7.4db。

用于通信领域中的mems器件

刘泽文，李志坚，刘理天

电子科技导报，7, 1999

微电子机械系统（mems）技术在未来的通信领域中有着广泛的应用，本文介绍了若干个用于通信线路中的mems器件。如微电容、微电感、微谐振器、滤波器、微开关等的典型结构形式及其主要性能。

用等离子体干法刻蚀制作用于淀积玻英合金微结构阵列的p-硅微模具

刘泽文，刘理天，谭智敏，王晓慧，李志坚

第二届亚欧等离子体表面工程国际会议，1999.9，北京

本文给出了一种利用等离子体干法刻蚀在p型硅上制作微模具，然后通过电化学方法填充模具。从而获得玻莫金属(80％镍、20％铁)微结构的方法。微结构玻莫合金作为一种软磁性材料在mems研究中有广泛的用途。为了获得100mm×100mm横向尺寸的微结构，首先用等离子体方法在已形成掩膜图形的硅片上刻出方型深槽。利用cf4和sf6相混合作为腐蚀气体。10分钟即可获得10mm的深槽，该工艺显示出对单晶硅有较高的刻蚀速度。随后把深槽作为模具进行选择性电沉淀。为了实现电解质和硅电极之间的电荷移动，对方槽的底部进行了硼原子掺杂，并利用一特殊夹具。这样直流电镀电流便可以从硅片的背面加入到被镀基底上，从而获得高度均匀一致的微结构。利用该方法已经成功地获得具有高磁导率（1700）的玻莫合金微结构。

高性能双轴微加速度传感器制作研究

刘泽文，刘理天，李志坚

第六届全国敏感元件与传感器学术会议，1999.10，北京

本文给出了将ic工艺与liga工艺相结合，在硅基材料上以镍金属为结构材料制作高性能微加速度传感器的研究结果。由于采用了金属材料，器件在较小的尺寸下可获得较高的灵敏度。采用特殊的结构形成，可使器件处于最佳阻尼状态。制作过程主要包括厚胶光学光刻，淀积电镀种子层，电化学淀积牺牲层、x射线曝光。

背面对准x射线光刻掩膜制作研究

刘泽文、刘理天、李志坚

10^th national annual conference on electron beam, ion beam and photon beam, nov. 1999, changsha, hunan

深x射线光刻是制作高深宽比mems结构的一个重要方法。由于大多数liga掩模支撑膜的光学不透明性，很难进行需要重复对准的多次曝光。我们通过使用背面对准x射线光刻掩膜，很好地解决了这一问题。给出了该掩膜制作工艺的研究结果。整个过程包括沉淀氮化硅、uv光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用karl suss双面对准曝光机，可获得2mm的对准精度。

台面结构硅光电集成微马达的设计

齐臣杰，谭智敏，刘理天，李志坚

清华大学学报，39（s1），1999.4

为了解决凸极法兰盘结构的静电晃动微马达寿命短和测速困难的问题，提出了一种台面结构的光电集成晃动微马达。用单晶硅台面法兰盘代替悬浮的厚1.1 mm的多晶硅法兰盘，它具有机械强度高、摩擦系数小、抗磨损、不塌陷等优点。马达的轴也用实心轴取代2 mm空心轴，克服了轴因磨损和受力而变形的问题。使得马达的寿命大大提高。另一方面，在马达上还集成了光电测速电路，可以精确测量马达转速。并且还可以形成闭环控制系统，或用作斩光器，成为真正的微机械电子系统。新型马达工艺简单，与ic工艺完全兼容，可批量制作。

光电集成测速硅静电微晃动马达

齐臣杰，候 彧，刘理天