光刻技术是集成电路的关键技术之一
　　在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％

　　光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的
　　进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。

所以说光刻系统的先进程度也就决定了光刻工程的高低,

光刻系统的组成：

　　　　光刻机（曝光工具） (光刻工程的核心部分,其造价昂贵.号称世界上最精密的仪 器,目前世界是已有7000万美金的光刻机.)

　　　　掩膜版
　　　　光刻胶(常伴随着光刻机的发展而前进.在一定程度上其也制约着光刻工艺的发展)

主要指标：

　　　　分辨率w（resolution）-> 光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸
　　　　焦深(dof-depth of focus) -> 投影光学系统可清晰成象的尺度范围
　　　　关键尺寸（cd-critical dimension）控制
　　　　对准和套刻精度(alignment and overlay)
　　　　产率(throughout)
　　　　价格

其中，w是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。
其由瑞利定律决定：　r = k1r/na ，　其中　r 是光刻波的波长。

提高光刻分辨率的途径:

　　　　减小波长r, 其中，　光刻加工极限值：r/2 , 即半波长的分辨率
　　　　增加数值孔径
　　　　优化系统设计（分辨率增强技术）
　　　　减小k1

主流光刻技术:
248nm duv技术（krf准分子激光） -> 0.10um 特征尺寸
193nm duv技术（arf准分子激光） -> 90nm 特征尺寸

新一代的替代光刻技术:
immersion 193nm技术
157nm f2
euv光刻 紫外线光刻
电子束投影光刻
x射线光刻
离子束光刻
纳米印制光刻

光学透镜
　　　　透射式透镜（248nm、193nm)
　　　　反射式透镜（157nm）

掩膜版
　　　　由透光的衬底材料（石英玻璃）和不透光金属吸收层材料（主要是金属cr）组成。
　　　　通常要在表面淀积一层抗深紫外光损伤的增光型保护涂层

分辨率增强技术(ret):
　　　　　step-scan 技术
　　　　　偏轴照明(oai)
　　　　　邻近效应校正(opc)
　　　　　移相掩膜(psm)
　　　　　具有化学增强放大功能的快速感光光刻胶
　　　　　光刻胶修剪(resist trimming)
　　　　　抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶