集成电路工艺小结
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:237
前工序
图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术
薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等
掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术
图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术
薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等
掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术
后工序
划片
封装
测试
老化
筛选
划片
封装
测试
老化
筛选
前工序
图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术
薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等
掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术
图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术
薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等
掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术
后工序
划片
封装
测试
老化
筛选
划片
封装
测试
老化
筛选
上一篇：如何选择封装形式
相关技术资料- 7-10神经运算处理芯片(Neural Processing Unit, NPU)
- 7-10GB10 Grace Blackwell超级芯片应用分析
- 7-10飞行时间传感器X-NUCLEO-53L4A2
- 7-1012GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片应用探究
- 7-10PowerEdge XE9712 服务器技术参数设计
- 7-10动态随机存取存储芯片(DRAM)发展趋势
- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
