动态随机存储器dram与中央处理器cpu一样，已成为pc的核心芯片。正如其名称含义，dram是一种需要数据再生的随机存储器，pc当前要执行的程序和数据都保存在由dram组成的内存模块主存储系统内，最常用单管mos器件构成存储单元，以集成的微小栅电容动态的存储电荷来记忆二进制数据，集成度高，存储容量大。功耗小，成本低。计算机cpu芯片急速发展，每推出一款新型cpu的速度均以百兆赫为单位提高，拉动dram沿摩尔定律高速推进，急需封装技术密切支持。因而dram内存芯片封装技术备受it界关注。

2 dram品种类型及市场状况

产业界对dram投资力度加大，芯片技术日新月异，正努力突破0.1 μm线宽电容记忆元件的纵横比理论极限，结构上推出堆叠式、沟槽式产品，采用高速、多层铜互连技术以及高、低绝缘材料研发产品。光刻是减少dram线宽的关键工艺，193nm准分子激光扫描分步投影光刻将成为90nm 工艺的主流光刻设备，并向70nm工艺延伸，预计到2009年将应用45nm光刻设计尺寸，制备0.02μm特征尺寸的64gb产品，2012年可应用32nm光刻设计尺寸，制备0.016μm特征尺寸的256gb dram。

dram按产品类型划分，市场上主要有单数据传输率的同步s(synchronous)dram和双倍数据速率ddr(double data rata sdram)以及直接接口dr(direct rambus)dram等三大类别产品系列。sdram的内存频率与cpu的频率能同步存取数据，节省执行指令及数据传输时间，应用片内时钟，使输入及输出能同步进行，实现无等待，当前主流的sdram的时钟频率为133mhz，有的已达到166 mhz。drdram采用高速而窄的存储总线与信息包指令，在存储记忆部分和主控部分都带有控制器，也是新一代的主流内存标准之一，主要用于对质量和速度有很高要求的带图形显示功能的pc中，其发展历程并不平坦，成本过高而饱受非议。2003年5月，英特尔宣布停止生产支持drdram的i860、i850cpu芯片，并声称所有新的cpu芯片组将支持ddr，意味这种内存将逐渐退出市场。不过，rambus公司也绝境反击，自主开发出一种新的xdr(extueme datarata dram，极快的数据传输内存)技术，仍采用与以往相同的串行结构，不同的是xdr拥有独立的数据通道，有效降低延迟时间，传输速率达3.2ghz甚至6.4ghz，能以惊人的高速运转并提供几近夸张的带宽，最高100gb·s-1。xdr技术最早也得在今后1年左右才能上市，若价位仍昂贵，其成功与否尚无法定论。

ddr由sdram技术发展而来，仍属于这一工艺技术体系，其重大改进是可在时钟触发沿的上升、下降沿都能进行数据的读取，传输速率为sdram的两倍，提供双倍内存带宽。在生产线上，只要将sdram生产线稍作改进，即可生产ddr，制造技术、封装形式、材料消耗也基本相同，无需太大的投入即可量产，生产成本大体相同。内存模块和主板厂商都可利用现存的设备及技术，生产支持ddr的产品，市场主流有100 mhz、133 mhz、166mhz、400 mhz的模块产品，其带宽对比如表1所示，快速才是发展的硬道理，使新一代的高性能pc系统成为可能，包括台式机、工作站、服务器、便携式电脑、图形适配器、路由器等。按mb量计算，2002年ddr产量已超过sdram，256／512mb的ddr在2004年仍是主流产品，据三星声称，2003年上半段ddr占全部dram产品的40％，2004年上升至60％。建立在内存控制器基础上的双通道模式ddr和qbm四存储体存储器ddr技术日趋成熟，前者最大可提供6.4 gb·s-1的内存带宽，后者只增加一个小模块，就可提供相当于ddrⅱ的峰值性能。

内存和cpu芯片厂商并不满足于第一代ddr性能，电子器件工程联合委员会jedec多次公开展示ddrⅱ规范标准，如表2所示。相对于第一代ddr，ddrⅱ主要有这样一些改进：预取数据容量从2bit提高到4bit，在每个数据位同时取4位串行信息；工作电压从2.5v降到1.8v，改用更低的芯核电压和sstl i／o电压；采用片内终结器设计，即将原来在主板上的终结电阻集成到片内，有助于提高高频下的信号质量，并降低主板成本；频率从400 mhz起跳，紧接着就会达到533 mhz；为减少阻抗与连线长度，改用bga封装；今后从1gb开始，还将采用8存储体阵列；将融入cas、ocd、：ddt等新性能指标中断指令，提升内存带宽的利用率，最高可实现800 mhz、带宽6.4 gb／s，采用双通道带宽可飙升到12.8gb／s。各内存厂商都在发展512mb高密度ddr400与ddrⅱ芯片，ddrⅱ凭借其优异的性能极有可能在2004年蓄热猛发。ddrⅲ 更是在ddrⅱ 基础上的翻倍发展，预计将会在2007年推出。

从ddr替代sdram的情况看，内