金属封装材料的现状及发展(上)

发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:526

童震松沈卓身

(北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083)

摘要：本文介绍了在金属封装中目前正在使用和开发的金属材料。这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料，为适应电子封装发展的要求，国内开展对金属基复合材料的研究和使用将是非常重要的。

关键词：金属封装；底座；热沉；散热片；金属基复合材料

中图分类号：tn305．94 文献标识码：a 文章编号：1681-1070(2005)03-06-10

金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是军用和定制的专用气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。金属封装形式多样、加工灵活，可以和某些部件(如混合集成的a／d或d／a转换器)融合为一体，适合于低i／o数的单芯片和多芯片的用途，也适合于射频、微波、光电、声表面波和大功率器件，可以满足小批量、高可靠性的要求。此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。本文主要介绍在金属封装中使用和正在开发的金属材料，这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。

1 传统金属封装材料及其局限性

芯片材料如si、gaas以及陶瓷基板材料如a12o3、beo、ain等的热膨胀系数(cte)介于3×10-6-7×10-6k-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：

①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；
②非常好的导热性，提供热耗散；
③非常好的导电性，减少传输延迟；
④良好的emi／rfi屏蔽能力；
⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；
⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；
⑦较低的成本。

传统金属封装材料包括al、cu、mo、w、钢、可伐合金以及cu／w和cu／mo等，它们的主要性能如表1所示。

1．1 铜、铝

纯铜也称之为无氧高导铜(ofhc)，电阻率1．72μω·cm，仅次于银。它的热导率为401w(m-1k-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的cte高达16．5×10-6k-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。为了减少陶瓷基板上的应力，设计者可以用几个较小的基板来代替单一的大基板，分开布线。退火的纯铜由于机械性能差，很少使用。加工硬化的纯铜虽然有较高的屈服强度，但在外壳制造或密封时不高的温度就会使它退火软化，在进行机械冲击或恒定加速度试验时造成外壳底部永久变形。

铝及其合金重量轻、价格低、易加工，具有很高的热导率，在25℃时为237w(m-1k-1)，是常用的封装材料，通常可以作为微波集成电路(mic)的壳体。但铝的cte更高，为23．2×10-6k-1，与si(4．1×10-6k-1)和gaas(5.8 ×10-6k-1)相差很大，器件工作日寸的热循环常会产生较大的热应力，导致失效。虽然设计者可以采用类似铜的办法解决这个问题，但铜、铝与芯片、基板严重的热失配，给封装的热设计带来很大困难，影响了它们的广泛使用。

1．2 钨、钼

mo的cte为5．35×10-6k-1，与可伐和al2o3非常匹配，它的热导率相当高，为138 w(m-k-1)，故常作为气密封装的底座与可伐的侧墙焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金属封装中。mo作为底座的一个主要缺点在于平面度较差，另一个缺点是在于它重结晶后的脆性。w具有与si和gaas相近的热膨胀系数，且导热性很好，可用于芯片的支撑材料，但由于加工性、可焊性差，常需要在表面镀覆其他金属，使工艺变得复杂且可靠性差。w、mo价格较为昂贵，不适合大量使用。此外密度较大，不适合航空、航天用途。

1．3 钢

10号钢热导率为49．8 w(m-1k-1)，大约是可伐合金的三倍，它的cte为12．6×10-6k-1，与陶瓷和半导体的cte失配，可与软玻璃实现压缩封接。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(fe-18cr，中国牌号4j18)热导率仅为26．1 w(m-1k-1)。

1．4 可伐

可伐合金(fe-29ni-17co