位置:51电子网 » 技术资料 » 电源技术

ST PowerMESH IGBT新系列产品

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:445

stmicro推出powermesh igbt工艺的新系列产品,更加完善了其在家用电机控制、功率因数校正器、感应加热设备等交互式电力供应上的功能。

powermesh igbt v系列产品采用了带状布局专利工艺,运用了一种新的载波周期控制。这种机制提高了集电极到发射极的饱和压降,并降低了关断损耗,使得其适合高达50khz高频应用。

v系列stgp20nc60v、stgw20nc60v分别以to-220、to-247封装,均是30a、600v n通道产品。为了避免交叉传导环境,优化了反馈电容-输入电容比。其中,关断损耗还包括了遗留电流以及二极管恢复能损。

stgw20nc60vd以to-247封装,组合打包了处于集电极与发射极之间的续流二极管。

stgw40nc60v和stgw40nc60vd则以50a、600v的to-247封装,同时,stgw40nc60vd与一个反平行二极管组合封装在max247中。

在额定电流下,这些产品都能工作于150°c,并能提供少于2.5v的集电极-发射极饱和压降。其价格从每10,000数量单元$1.25到$4.50不等。



stmicro推出powermesh igbt工艺的新系列产品,更加完善了其在家用电机控制、功率因数校正器、感应加热设备等交互式电力供应上的功能。

powermesh igbt v系列产品采用了带状布局专利工艺,运用了一种新的载波周期控制。这种机制提高了集电极到发射极的饱和压降,并降低了关断损耗,使得其适合高达50khz高频应用。

v系列stgp20nc60v、stgw20nc60v分别以to-220、to-247封装,均是30a、600v n通道产品。为了避免交叉传导环境,优化了反馈电容-输入电容比。其中,关断损耗还包括了遗留电流以及二极管恢复能损。

stgw20nc60vd以to-247封装,组合打包了处于集电极与发射极之间的续流二极管。

stgw40nc60v和stgw40nc60vd则以50a、600v的to-247封装,同时,stgw40nc60vd与一个反平行二极管组合封装在max247中。

在额定电流下,这些产品都能工作于150°c,并能提供少于2.5v的集电极-发射极饱和压降。其价格从每10,000数量单元$1.25到$4.50不等。



相关IC型号

热门点击

 

推荐技术资料

Seeed Studio
    Seeed Studio绐我们的印象总是和绘画脱离不了... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!