MOS晶体管的平方律转移特性
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:1691
将mos晶体管的栅漏连接，因为vgs=vds，所以，vds>vgs-vtn， 导通的器件一定工作在饱和区。这时，晶体管的电流-电压特性应遵循饱和区的萨氏方程 ids=kn/2·w/l·(vgs-vtn)2(1+λvds)
即平方律关系。4种mos晶体管的平方律转移特性如图所示，这样的连接方式在许多设计中被采用。
即平方律关系。4种mos晶体管的平方律转移特性如图所示，这样的连接方式在许多设计中被采用。
将mos晶体管的栅漏连接，因为vgs=vds，所以，vds>vgs-vtn， 导通的器件一定工作在饱和区。这时，晶体管的电流-电压特性应遵循饱和区的萨氏方程 ids=kn/2·w/l·(vgs-vtn)2(1+λvds)
即平方律关系。4种mos晶体管的平方律转移特性如图所示，这样的连接方式在许多设计中被采用。
即平方律关系。4种mos晶体管的平方律转移特性如图所示，这样的连接方式在许多设计中被采用。
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