在同一条I2C总线上挂接多个DS1859器件

引言

DS1859双路、温控电阻不允许用户通过外部引脚改变其I²C从地址。相反，器件为主存储器提供可编程I²C从地址。在具体应用中，一条I²C总线可能需要接多个DS1859器件。由于所有DS1859出厂时的缺省I²C从地址都相同，因此，这些器件与I²C总线连接时，必须改变其中一个或多个器件的从地址。

本应用笔记阐述了同一条I²C总线上接两个DS1859时，如何改变其中一个器件的I²C从地址。这一方法可推广应用于挂接多个器件的情况。本文假定用户可根据需要将DS1859的WPEN引脚转换为逻辑高电平或逻辑低电平。

DS1859的独特之处还在于每个器件有两个从地址，其中一个可编程地址用来访问主存储器，另一个固定地址(A0h)用来访问辅助存储器。在本文的最后将讨论如何访问辅助存储器。

在同一条I²C总线上挂接两个DS1859

当同一条I²C总线上接两个DS1859时，必须改变其中一个器件的从地址，另一个器件则保持其缺省地址(A2h)不变。可通过以下步骤来实现这一点。

将一个DS1859 (器件1)的WPEN引脚驱动至信号地。

将另一个DS1859 (器件2)的WPEN引脚驱动至高电平。

将器件2的MPEN位置为高(从器件地址A2h，表01h，寄存器89h，第2位)。该设置对两个器件的MPEN位都有效，但是由于器件1的WPEN引脚接地，因此只有器件2被写保护。该步骤之后所有对从地址A2h的写操作都仅对器件1产生影响。
将器件1的从地址设置为任何期望的数值(00h - FEh，A2h除外)。进行编程设置时，采用从地址A2h，表01h，字节8Ch。

将器件1的ADFIX位置为高(从地址A2h，表01h，寄存器89h，第4位)。

器件1的从地址即配置为第5步所指定的地址。

然后WPEN引脚可被驱动至需要的逻辑电平，此时可以将MPEN位恢复至缺省值(0b)。

系统中连接多个DS1859

上述步骤也适用于同一条I2C总线接多个DS1859的情况。此时，除了某个从地址需要改变的器件外，所有器件均被置为写保护。

访问辅助存储器

用户应该注意，只有主器件地址能被改变。而所有器件的辅助存储器地址不能改变，仍然保持为A0h。I2C总线上只能有