国际整流器公司（internationalrectifier，简称ir）近日推出一款新型的directfetmosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336w功率。

全新的irf6646及irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v及36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激及推挽式转换器，以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。

业界标准的300w四分之一砖设计往往包含多达10个mosfet（4个初级和6个次级）、1个脉宽调制（pwm）集成电路及2个半桥驱动器集成电路。ir的新芯片组方案则只有6个mosfet（4个初级和2个次级）及1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。

此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1.5个百分点。

irf664680vmosfet的最大导通电阻为9.5mω，较相同面积的同类器件改善了37%，成为业界之最，并可针对初级桥式电路拓扑进行定制。irf663530vmosfet的最大导通电阻为1.8mω，是特别为次级同步整流优化的。该器件可在相同面积下实现最低的导通电阻，超过同类器件22%。