NCP3418DR2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:277
产品型号:ncp3418dr2g
工作电压最小值(v):4.600
工作电压最大值(v):13.200
输出通道:2
驱动器配置:－
峰值输出电流(a):2
上升时间(ns):18
下降时间(ns):10
封装/温度(℃):8so/0~85
描述:双12v mosfet驱动器,带输出禁止,内置充电泵二极管
价格/1片(套):暂无
工作电压最小值(v):4.600
工作电压最大值(v):13.200
输出通道:2
驱动器配置:－
峰值输出电流(a):2
上升时间(ns):18
下降时间(ns):10
封装/温度(℃):8so/0~85
描述:双12v mosfet驱动器,带输出禁止,内置充电泵二极管
价格/1片(套):暂无
产品型号:ncp3418dr2g
工作电压最小值(v):4.600
工作电压最大值(v):13.200
输出通道:2
驱动器配置:－
峰值输出电流(a):2
上升时间(ns):18
下降时间(ns):10
封装/温度(℃):8so/0~85
描述:双12v mosfet驱动器,带输出禁止,内置充电泵二极管
价格/1片(套):暂无
工作电压最小值(v):4.600
工作电压最大值(v):13.200
输出通道:2
驱动器配置:－
峰值输出电流(a):2
上升时间(ns):18
下降时间(ns):10
封装/温度(℃):8so/0~85
描述:双12v mosfet驱动器,带输出禁止,内置充电泵二极管
价格/1片(套):暂无
上一篇：NCP3488DR2G的技术参数
相关技术资料- 7-11最新12kW量产电源参考设计简述
- 7-11第三代快速碳化硅MOSFET技术参数应用
- 7-11800 V高压直流 (HVDC)全新架构电源系统
- 7-11串行千兆位媒体独立接口（SGMII和RGMII）
- 7-11Analog Devices ADIN3310应用详情
- 7-11干簧传感器MK17系列应用详解
- 7-10神经运算处理芯片(Neural Processing Unit, NPU)
- 7-10GB10 Grace Blackwell超级芯片应用分析
- 7-10飞行时间传感器X-NUCLEO-53L4A2
- 7-1012GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片应用探究
- 7-10PowerEdge XE9712 服务器技术参数设计
- 7-10动态随机存取存储芯片(DRAM)发展趋势
- 相关IC型号
热门点击
- MPC17529EV的技术参数
- TMP122AIDBVT的技术参数
- MBR20200CT的技术参数
- ULN2003AN的技术参数
- J112G的技术参数
- TPS2816DBVR的技术参数
- NGD8201NT4G的技术参数
- MBR2045CT的技术参数
- MPF4393G的技术参数
- TPIC6B595N的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
