TPS1120DR的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:249
产品型号:tps1120dr
fet数:2
漏源电压(v):-15
持续漏极电流(vgs=-10v)最大值(a):-1.700
静态漏源直流电阻 (vgs=-10v)典型值(mω):180
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):8soic/-40~85
描述:双路p沟道增强方式mosfet
价格/1片(套):￥13.40
fet数:2
漏源电压(v):-15
持续漏极电流(vgs=-10v)最大值(a):-1.700
静态漏源直流电阻 (vgs=-10v)典型值(mω):180
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):8soic/-40~85
描述:双路p沟道增强方式mosfet
价格/1片(套):￥13.40
产品型号:tps1120dr
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漏源电压(v):-15
持续漏极电流(vgs=-10v)最大值(a):-1.700
静态漏源直流电阻 (vgs=-10v)典型值(mω):180
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):8soic/-40~85
描述:双路p沟道增强方式mosfet
价格/1片(套):￥13.40
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漏源电压(v):-15
持续漏极电流(vgs=-10v)最大值(a):-1.700
静态漏源直流电阻 (vgs=-10v)典型值(mω):180
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):8soic/-40~85
描述:双路p沟道增强方式mosfet
价格/1片(套):￥13.40
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