MMDF3N02HDR2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:267
产品型号:mmdf3n02hdr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):90
最大漏极电流id(on)(a):3.800
通道极性:n/n沟道
封装/温度(℃):so-8/-55~150
描述:3a,20v,so-8,n沟道功率双mosfet
价格/1片(套):￥6.20
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):90
最大漏极电流id(on)(a):3.800
通道极性:n/n沟道
封装/温度(℃):so-8/-55~150
描述:3a,20v,so-8,n沟道功率双mosfet
价格/1片(套):￥6.20
产品型号:mmdf3n02hdr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):90
最大漏极电流id(on)(a):3.800
通道极性:n/n沟道
封装/温度(℃):so-8/-55~150
描述:3a,20v,so-8,n沟道功率双mosfet
价格/1片(套):￥6.20
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):90
最大漏极电流id(on)(a):3.800
通道极性:n/n沟道
封装/温度(℃):so-8/-55~150
描述:3a,20v,so-8,n沟道功率双mosfet
价格/1片(套):￥6.20
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