MMSF7P03HDR2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:240
产品型号:mmsf7p03hdr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):35
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):so-8/-55~150
描述:7a,30v,so-8,p沟道功率mosfet
价格/1片(套):¥6.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):35
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):so-8/-55~150
描述:7a,30v,so-8,p沟道功率mosfet
价格/1片(套):¥6.00
产品型号:mmsf7p03hdr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):35
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):so-8/-55~150
描述:7a,30v,so-8,p沟道功率mosfet
价格/1片(套):¥6.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):35
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):so-8/-55~150
描述:7a,30v,so-8,p沟道功率mosfet
价格/1片(套):¥6.00
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