MTP2P50EG的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:254
产品型号:mtp2p50eg
源漏极间雪崩电压vbr(v):500
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6000
最大漏极电流id(on)(a):2
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):to-220ab/-55~150
描述:小信号p沟道to-220ab封装场效应管
价格/1片(套):￥13.40
源漏极间雪崩电压vbr(v):500
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6000
最大漏极电流id(on)(a):2
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):to-220ab/-55~150
描述:小信号p沟道to-220ab封装场效应管
价格/1片(套):￥13.40
产品型号:mtp2p50eg
源漏极间雪崩电压vbr(v):500
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6000
最大漏极电流id(on)(a):2
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):to-220ab/-55~150
描述:小信号p沟道to-220ab封装场效应管
价格/1片(套):￥13.40
源漏极间雪崩电压vbr(v):500
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6000
最大漏极电流id(on)(a):2
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):to-220ab/-55~150
描述:小信号p沟道to-220ab封装场效应管
价格/1片(套):￥13.40
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