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NTB125N02RT4G的技术参数

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:260

产品型号:ntb125n02rt4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):24(min)
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.600
最大漏极电流id(on)(a):125
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak 3/-55 ~150
描述:125 a, 24 v 功率mosfet
价格/1片(套):¥7.60


产品型号:ntb125n02rt4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):24(min)
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.600
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通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak 3/-55 ~150
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