NTB60N06的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:271
产品型号:ntb60n06
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14
最大漏极电流id(on)(a):60
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55~150
描述:60a,60v逻辑电平的功率mosfet
价格/1片(套):￥9.99
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14
最大漏极电流id(on)(a):60
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55~150
描述:60a,60v逻辑电平的功率mosfet
价格/1片(套):￥9.99
产品型号:ntb60n06
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14
最大漏极电流id(on)(a):60
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55~150
描述:60a,60v逻辑电平的功率mosfet
价格/1片(套):￥9.99
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14
最大漏极电流id(on)(a):60
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55~150
描述:60a,60v逻辑电平的功率mosfet
价格/1片(套):￥9.99
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