NTB65N02RT4G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:239
产品型号:ntb65n02rt4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):10.500
最大漏极电流id(on)(a):65
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150
描述:24v, 65 a功率mosfet
价格/1片(套):￥4.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):10.500
最大漏极电流id(on)(a):65
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150
描述:24v, 65 a功率mosfet
价格/1片(套):￥4.00
产品型号:ntb65n02rt4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):10.500
最大漏极电流id(on)(a):65
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150
描述:24v, 65 a功率mosfet
价格/1片(套):￥4.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):10.500
最大漏极电流id(on)(a):65
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150
描述:24v, 65 a功率mosfet
价格/1片(套):￥4.00
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