NTD20N06T4G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:276
产品型号:ntd20n06t4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):46
最大漏极电流id(on)(a):20
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150
描述:20 a, 60 v功率mosfet
价格/1片(套):￥4.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):46
最大漏极电流id(on)(a):20
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150
描述:20 a, 60 v功率mosfet
价格/1片(套):￥4.50
产品型号:ntd20n06t4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):46
最大漏极电流id(on)(a):20
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150
描述:20 a, 60 v功率mosfet
价格/1片(套):￥4.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):46
最大漏极电流id(on)(a):20
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150
描述:20 a, 60 v功率mosfet
价格/1片(套):￥4.50
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