NTD3055L104G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:254
产品型号:ntd3055l104g
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):104
最大漏极电流id(on)(a):12
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak/-55~175
描述:12a,60v功率mosfet
价格/1片(套):￥2.70
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):104
最大漏极电流id(on)(a):12
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak/-55~175
描述:12a,60v功率mosfet
价格/1片(套):￥2.70
产品型号:ntd3055l104g
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):104
最大漏极电流id(on)(a):12
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak/-55~175
描述:12a,60v功率mosfet
价格/1片(套):￥2.70
源漏极间雪崩电压vbr(v):60
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):104
最大漏极电流id(on)(a):12
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak/-55~175
描述:12a,60v功率mosfet
价格/1片(套):￥2.70
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