NTD65N03R-1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:232
产品型号:ntd65n03r-1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8.400
最大漏极电流id(on)(a):65
通道极性:n
封装/温度(℃):dpak-3/-55~175
描述:25v,65a,n沟道mosfet
价格/1片(套):暂无
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8.400
最大漏极电流id(on)(a):65
通道极性:n
封装/温度(℃):dpak-3/-55~175
描述:25v,65a,n沟道mosfet
价格/1片(套):暂无
产品型号:ntd65n03r-1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8.400
最大漏极电流id(on)(a):65
通道极性:n
封装/温度(℃):dpak-3/-55~175
描述:25v,65a,n沟道mosfet
价格/1片(套):暂无
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8.400
最大漏极电流id(on)(a):65
通道极性:n
封装/温度(℃):dpak-3/-55~175
描述:25v,65a,n沟道mosfet
价格/1片(套):暂无
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