NTGS3433T1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:216
产品型号:ntgs3433t1
源漏极间雪崩电压vbr(v):-12
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):75
最大漏极电流id(on)(a):-3.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:－3.05a,－30v功率mosfet和肖特基二极管
价格/1片(套):￥2.40
源漏极间雪崩电压vbr(v):-12
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):75
最大漏极电流id(on)(a):-3.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:－3.05a,－30v功率mosfet和肖特基二极管
价格/1片(套):￥2.40
产品型号:ntgs3433t1
源漏极间雪崩电压vbr(v):-12
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):75
最大漏极电流id(on)(a):-3.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:－3.05a,－30v功率mosfet和肖特基二极管
价格/1片(套):￥2.40
源漏极间雪崩电压vbr(v):-12
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):75
最大漏极电流id(on)(a):-3.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:－3.05a,－30v功率mosfet和肖特基二极管
价格/1片(套):￥2.40
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