NTGS3443T1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:275
产品型号:ntgs3443t1
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):65
最大漏极电流id(on)(a):－
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:2a,p沟道mosfet
价格/1片(套):￥1.80
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):65
最大漏极电流id(on)(a):－
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:2a,p沟道mosfet
价格/1片(套):￥1.80
产品型号:ntgs3443t1
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):65
最大漏极电流id(on)(a):－
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:2a,p沟道mosfet
价格/1片(套):￥1.80
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):65
最大漏极电流id(on)(a):－
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:2a,p沟道mosfet
价格/1片(套):￥1.80
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