NTGS3446T1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:208
产品型号:ntgs3446t1
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):36
最大漏极电流id(on)(a):5.100
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:5.1a,20v功率mosfet
价格/1片(套):￥2.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):36
最大漏极电流id(on)(a):5.100
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:5.1a,20v功率mosfet
价格/1片(套):￥2.00
产品型号:ntgs3446t1
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):36
最大漏极电流id(on)(a):5.100
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:5.1a,20v功率mosfet
价格/1片(套):￥2.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):36
最大漏极电流id(on)(a):5.100
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:5.1a,20v功率mosfet
价格/1片(套):￥2.00
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