NTGS3455T1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:209
产品型号:ntgs3455t1
源漏极间雪崩电压vbr(v):-30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100
最大漏极电流id(on)(a):-3.500
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:－4.5a,－12v功率mosfet
价格/1片(套):￥1.90
源漏极间雪崩电压vbr(v):-30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100
最大漏极电流id(on)(a):-3.500
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:－4.5a,－12v功率mosfet
价格/1片(套):￥1.90
产品型号:ntgs3455t1
源漏极间雪崩电压vbr(v):-30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100
最大漏极电流id(on)(a):-3.500
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:－4.5a,－12v功率mosfet
价格/1片(套):￥1.90
源漏极间雪崩电压vbr(v):-30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100
最大漏极电流id(on)(a):-3.500
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):6tsop/-55~150
描述:－4.5a,－12v功率mosfet
价格/1片(套):￥1.90
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