NTHD4401PT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:256
产品型号:nthd4401pt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:20v,3a,p沟道双mosfet
价格/1片(套):￥4.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:20v,3a,p沟道双mosfet
价格/1片(套):￥4.50
产品型号:nthd4401pt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:20v,3a,p沟道双mosfet
价格/1片(套):￥4.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:20v,3a,p沟道双mosfet
价格/1片(套):￥4.50
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