NTHD4P02FT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:222
产品型号:nthd4p02ft1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:-20 v, -3.0 a,功率mosfet
价格/1片(套):￥2.80
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:-20 v, -3.0 a,功率mosfet
价格/1片(套):￥2.80
产品型号:nthd4p02ft1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:-20 v, -3.0 a,功率mosfet
价格/1片(套):￥2.80
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155
最大漏极电流id(on)(a):3
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:-20 v, -3.0 a,功率mosfet
价格/1片(套):￥2.80
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